产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(12767)
晶体管 - FET，MOSFET - 单
(12767)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(370)
Central Semiconductor Corp(12)
Diodes Incorporated(189)
Exar Corporation(1)
Fairchild/Micross Components(1)
Fairchild/ON Semiconductor(1752)
Global Power Technologies Group(133)
Infineon Technologies(2745)
IXYS(1803)
Micro Commercial Co(14)
Microchip Technology(5)
Microsemi Corporation(546)
Nexperia USA Inc.(426)
NXP USA Inc.(149)
ON Semiconductor(411)
Panasonic Electronic Components(14)
Renesas Electronics America(187)
Rohm Semiconductor(186)
Sanken(29)
STMicroelectronics(1786)
Taiwan Semiconductor Corporation(231)
Toshiba Semiconductor and Storage(323)
TT Electronics/Optek Technology(3)
Vishay Semiconductor Diodes Division(11)
Vishay Siliconix(1440)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 357W（Tc） D2PAK
型号：
BUK765R0-100E,118
仓库库存编号：
1727-7135-1-ND
别名：1727-7135-1
568-9567-1
568-9567-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 33V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
型号：
STP75NS04Z
仓库库存编号：
497-5981-5-ND
别名：497-5981-5
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 7.2A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 7.2A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
型号：
STP9NK50ZFP
仓库库存编号：
497-12057-5-ND
别名：497-12057-5
STP9NK50ZFP-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 250V 17A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
型号：
STF17NF25
仓库库存编号：
497-7471-5-ND
别名：497-7471-5
STF17NF25-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 5.8A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
型号：
STP6NK90Z
仓库库存编号：
497-3199-5-ND
别名：497-3199-5
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N CH 100V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 150W（Tc） TO-220
型号：
STP100N10F7
仓库库存编号：
497-13550-5-ND
别名：497-13550-5
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
STP80NF55-06
仓库库存编号：
497-2774-5-ND
别名：497-2774-5
STP80NF5506
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
型号：
STP10NM60N
仓库库存编号：
497-9098-5-ND
别名：497-9098-5
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
型号：
STP10NK60ZFP
仓库库存编号：
497-5892-5-ND
别名：497-5892-5
STP10NK60ZFP-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 17A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
STW18NM80
仓库库存编号：
497-10085-5-ND
别名：497-10085-5
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 800V 13A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH13N80
仓库库存编号：
IXFH13N80-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 230A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 230A（Tc） 1670W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX230N20T
仓库库存编号：
IXFX230N20T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1KV 24A TO-264AA
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 560W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK24N100
仓库库存编号：
IXFK24N100-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 66A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN80N50P
仓库库存编号：
IXFN80N50P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 90A（Tc） 1040W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN100N50P
仓库库存编号：
IXFN100N50P-ND
别名：615236
Q3394492
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 188A（Tc） 1070W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN210N20P
仓库库存编号：
IXFN210N20P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 56A（Tc） 1000W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN56N90P
仓库库存编号：
IXFN56N90P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 143A ISOTOP
详细描述：底座安装 N 沟道 143A（Tc） 679W（Tc） ISOTOP?
型号：
STE145N65M5
仓库库存编号：
497-15112-5-ND
别名：497-15112-5
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 580A MODULE
详细描述：底座安装 N 沟道 580A（Tc） Y3-Li
型号：
VMO580-02F
仓库库存编号：
VMO580-02F-ND
别名：Q1221985A
VMO58002F
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 1.3A（Tc） 41.7W（Tc） TO-220
型号：
AOT1N60
仓库库存编号：
785-1184-5-ND
别名：785-1184-5
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 11.4A（Tc） 3.13W（Ta），53W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB11P06TM
仓库库存编号：
FQB11P06TMCT-ND
别名：FQB11P06TMCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 100V 0.23A TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 230mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
型号：
ZVP2110A
仓库库存编号：
ZVP2110A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 12.8A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 12.8A（Tc） 65W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP13N10
仓库库存编号：
FQP13N10-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 2.8A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 2.8A（Tc） 52W（Tc） TO-220AB
型号：
FQP3P20
仓库库存编号：
FQP3P20-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 3.2A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 3.2A（Tc） 55W（Tc） TO-220AB
型号：
FQP3N30
仓库库存编号：
FQP3N30-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
搜索
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
