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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB100N04S204ATMA4
  仓库库存编号：IPB100N04S204ATMA4CT-ND
  别名：IPB100N04S204ATMA4CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Ta），180A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSB015N04NX3 G
  仓库库存编号：BSB015N04NX3 GCT-ND
  别名：BSB015N04NX3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 106A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3808STRLPBF
  仓库库存编号：IRF3808STRLPBFCT-ND
  别名：IRF3808STRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB100N06S205ATMA4
  仓库库存编号：IPB100N06S205ATMA4CT-ND
  别名：IPB100N06S205ATMA4CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 150W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC670N25NSFDATMA1
  仓库库存编号：BSC670N25NSFDATMA1CT-ND
  别名：BSC670N25NSFDATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 19A VSON-4
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 81W（Tc） PG-VSON-4
  
  型号：IPL60R185P7AUMA1
  仓库库存编号：IPL60R185P7AUMA1CT-ND
  别名：IPL60R185P7AUMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 272W（Tc） SOT-426
  
  型号：BUK714R1-40BT,118
  仓库库存编号：568-9632-1-ND
  别名：568-9632-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17.5A（Tc） 151W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R190CFD
  仓库库存编号：IPB65R190CFDCT-ND
  别名：IPB65R190CFDCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 10A 4VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 67W（Tc） PG-VSON-4
  
  型号：IPL65R230C7AUMA1
  仓库库存编号：IPL65R230C7AUMA1CT-ND
  别名：IPL65R230C7AUMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 17A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 139W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI50R199CPXKSA1
  仓库库存编号：IPI50R199CPXKSA1-ND
  别名：IPI50R199CP
  IPI50R199CP-ND
  SP000523756
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），156W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC036NE7NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC036NE7NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC036NE7NS3GATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB160N04S203ATMA4
  仓库库存编号：IPB160N04S203ATMA4CT-ND
  别名：IPB160N04S203ATMA4CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 195A（Tc） 375W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS4115TRLPBF
  仓库库存编号：IRFS4115TRLPBFCT-ND
  别名：IRFS4115TRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 306W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN1R1-40BS,118
  仓库库存编号：1727-7105-1-ND
  别名：1727-7105-1
  568-9475-1
  568-9475-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 62A（Tc） 330W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS4227TRLPBF
  仓库库存编号：IRFS4227TRLPBFCT-ND
  别名：IRFS4227TRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 272W（Tc） SOT-426
  
  型号：BUK7109-75ATE,118
  仓库库存编号：568-9631-1-ND
  别名：568-9631-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS4310ZTRLPBF
  仓库库存编号：IRFS4310ZTRLPBFCT-ND
  别名：IRFS4310ZTRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R190C6
  仓库库存编号：IPB60R190C6INCT-ND
  别名：IPB60R190C6INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 75A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 230W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF1405ZLPBF
  仓库库存编号：IRF1405ZLPBF-ND
  别名：*IRF1405ZLPBF
  SP001570006
  
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  MOSFET N CH 100V 19A 8QFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta） 3.6W（Ta），160W（Tc） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7185TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7185TRPBFCT-ND
  别名：IRFH7185TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 42A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRF4905STRL
  仓库库存编号：AUIRF4905STRLCT-ND
  别名：AUIRF4905STRLCT
  
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  MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 330W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：IRF2804STRL7PP
  仓库库存编号：IRF2804STRL7PPCT-ND
  别名：IRF2804STRL7PPCT
  
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  MOSFET N-CH 600V 23.8A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23.8A（Tc） 176W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R160C6
  仓库库存编号：IPB60R160C6CT-ND
  别名：IPB60R160C6CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 16.4A 4VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16.4A（Tc） 139W（Tc） PG-VSON-4
  
  型号：IPL60R199CP
  仓库库存编号：IPL60R199CPCT-ND
  别名：IPL60R199CPCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 130A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS4310TRLPBF
  仓库库存编号：IRFS4310TRLPBFCT-ND
  别名：IRFS4310TRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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