产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB100N03S203T
仓库库存编号：
SPB100N03S203XTINCT-ND
别名：SPB100N03S203XTINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD12CN10NGATMA1
仓库库存编号：
IPD12CN10NGATMA1CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.7A（Tc） 83.3W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R420CFD
仓库库存编号：
IPB65R420CFDCT-ND
别名：IPB65R420CFDCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 150V 55.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55.5A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
型号：
PSMN030-150B,118
仓库库存编号：
1727-4772-1-ND
别名：1727-4772-1
568-5950-1
568-5950-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 14.5A（Tc） 95W（Tc） PG-TO263-3
型号：
BUZ31 H3045A
仓库库存编号：
BUZ31 H3045ACT-ND
别名：BUZ31 H3045ACT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 95A 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 95A（Tc） 4.3W（Ta），94W（Tc） 8-PQFN（5x6）
型号：
AUIRFN8403TR
仓库库存编号：
AUIRFN8403CT-ND
别名：AUIRFN8403CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
PSMN015-100B,118
仓库库存编号：
1727-4771-1-ND
别名：1727-4771-1
568-5949-1
568-5949-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
BUK763R1-40B,118
仓库库存编号：
1727-5252-1-ND
别名：1727-5252-1
568-6576-1
568-6576-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
BUK762R7-30B,118
仓库库存编号：
1727-5251-1-ND
别名：1727-5251-1
568-6575-1
568-6575-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N04S3-03
仓库库存编号：
IPB80N04S303ATMA1CT-ND
别名：IPB80N04S3-03CT
IPB80N04S3-03CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 75A 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），75A（Tc） 4.4W（Ta），125W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
AUIRFN7107TR
仓库库存编号：
AUIRFN7107CT-ND
别名：AUIRFN7107CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC042NE7NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC042NE7NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC042NE7NS3 GCT
BSC042NE7NS3 GCT-ND
BSC042NE7NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 333W（Tc） D2PAK
型号：
BUK762R0-40C,118
仓库库存编号：
1727-5250-1-ND
别名：1727-5250-1
568-6574-1
568-6574-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 11.4A（Ta），90A（Tc） 156W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC100N10NSFGATMA1
仓库库存编号：
BSC100N10NSFGATMA1CT-ND
别名：BSC100N10NSF GCT
BSC100N10NSF GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 13.4A（Ta），100A（Tc） 156W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC079N10NSGATMA1
仓库库存编号：
BSC079N10NSGATMA1CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRF3205ZSTRL
仓库库存编号：
AUIRF3205ZSTRLCT-ND
别名：AUIRF3205ZSTRLCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 97A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS4410ZTRLPBF
仓库库存编号：
IRFS4410ZTRLPBFCT-ND
别名：IRFS4410ZTRLPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 16.1A（Tc） 208W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R250E6XTMA1
仓库库存编号：
IPD65R250E6XTMA1CT-ND
别名：IPD65R250E6XTMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 162A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1404STRLPBF
仓库库存编号：
IRF1404STRLPBFCT-ND
别名：IRF1404STRLPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 19.2A（Tc） 151W（Tc） PG-VSON-4
型号：
IPL60R210P6AUMA1
仓库库存编号：
IPL60R210P6AUMA1CT-ND
别名：IPL60R210P6AUMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V DIRECTFET L8
详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Ta），375A（Tc） 3.8W（Ta），125W（Tc） DIRECTFET L8
型号：
IRF7739L2TRPBF
仓库库存编号：
IRF7739L2TRPBFDKR-ND
别名：IRF7739L2TRPBFDKR
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 300V 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 150W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC13DN30NSFDATMA1
仓库库存编号：
BSC13DN30NSFDATMA1CT-ND
别名：BSC13DN30NSFDATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 150W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC350N20NSFDATMA1
仓库库存编号：
BSC350N20NSFDATMA1CT-ND
别名：BSC350N20NSFDATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 349W（Tc） D2PAK
型号：
BUK761R6-40E,118
仓库库存编号：
1727-7133-1-ND
别名：1727-7133-1
568-9565-1
568-9565-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 63W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R225C7ATMA1
仓库库存编号：
IPB65R225C7ATMA1CT-ND
别名：IPB65R225C7ATMA1CT
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