产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 203W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7607-55B,118
仓库库存编号:
1727-4701-1-ND
别名:1727-4701-1
568-5849-1
568-5849-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.1A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD90R1K2C3BTMA1
仓库库存编号:
IPD90R1K2C3BTMA1CT-ND
别名:IPD90R1K2C3BTMA1CT
IPD90R1K2C3CT
IPD90R1K2C3CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.1A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD90R1K2C3ATMA1
仓库库存编号:
IPD90R1K2C3ATMA1CT-ND
别名:IPD90R1K2C3ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 72A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 72A(Tc) 182W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7613-100E,118
仓库库存编号:
1727-1087-1-ND
别名:1727-1087-1
568-10240-1
568-10240-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 150W(Tc) DPAK
型号:
PSMN130-200D,118
仓库库存编号:
1727-6296-1-ND
别名:1727-6296-1
568-8114-1
568-8114-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 13A(Tc) 66W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR5410TRL
仓库库存编号:
AUIRFR5410TRLCT-ND
别名:AUIRFR5410TRLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 254W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7606-55B,118
仓库库存编号:
1727-5247-1-ND
别名:1727-5247-1
568-6571-1
568-6571-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 8THINPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.3A(Tc) 89.3W(Tc) 8-ThinPak(5x6)
型号:
IPL60R360P6SATMA1
仓库库存编号:
IPL60R360P6SATMA1CT-ND
别名:IPL60R360P6SATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3-313
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD100N04S402ATMA1
仓库库存编号:
IPD100N04S402ATMA1CT-ND
别名:IPD100N04S402ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 15A(Tc) 128W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD15P10PGBTMA1
仓库库存编号:
SPD15P10PGBTMA1CT-ND
别名:SPD15P10PGBTMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 85A(Tc) 180W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1010NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF1010NSTRLPBFCT-ND
别名:IRF1010NSTRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR2407TRPBF
仓库库存编号:
IRFR2407PBFCT-ND
别名:*IRFR2407TRPBF
IRFR2407PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta),71A(Tc) 114W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC118N10NSGATMA1
仓库库存编号:
BSC118N10NSGATMA1CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 144W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR4620TRLPBF
仓库库存编号:
IRFR4620TRLPBFCT-ND
别名:IRFR4620TRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 7.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3-1
型号:
SPD08N50C3ATMA1
仓库库存编号:
SPD08N50C3ATMA1CT-ND
别名:SPD08N50C3ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 170W(Tc) D2PAK
型号:
IRF2807ZSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF2807ZSTRLPBFCT-ND
别名:IRF2807ZSTRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB70N10S312ATMA1
仓库库存编号:
IPB70N10S312ATMA1CT-ND
别名:IPB70N10S3-12INCT
IPB70N10S3-12INCT-ND
IPB70N10S312ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7855TRPBF
仓库库存编号:
IRF7855TRPBFCT-ND
别名:IRF7855TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 150V 29A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 29A(Tc) 150W(Tc) DPAK
型号:
PSMN063-150D,118
仓库库存编号:
1727-2164-1-ND
别名:1727-2164-1
568-11936-1
568-11936-1-ND
568-12326-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R380C6ATMA1
仓库库存编号:
IPD65R380C6ATMA1CT-ND
别名:IPD65R380C6ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R380C6BTMA1
仓库库存编号:
IPD65R380C6BTMA1CT-ND
别名:IPD65R380C6BTMA1CT
IPD65R380C6CT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB60R380P6ATMA1
仓库库存编号:
IPB60R380P6ATMA1CT-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 59A(Tc) 160W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3710ZSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF3710ZSTRLPBFCT-ND
别名:IRF3710ZSTRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 188W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD038N06N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD038N06N3GATMA1CT-ND
别名:IPD038N06N3GATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Tc) 144W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS4615TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS4615TRLPBFCT-ND
别名:IRFS4615TRLPBFCT
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