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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3-313
  
  型号：IPD90N04S403ATMA1
  仓库库存编号：IPD90N04S403ATMA1CT-ND
  别名：IPD90N04S403ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ042N04NS G
  仓库库存编号：BSZ042N04NSGATMA1CT-ND
  别名：BSZ042N04NSGINCT
  BSZ042N04NSGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 73A（Tc） 75W（Tc） PG-TO252-3-313
  
  型号：IPD70P04P409ATMA1
  仓库库存编号：IPD70P04P409ATMA1CT-ND
  别名：IPD70P04P409ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 18.6A（Tc） 80W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD18P06P G
  仓库库存编号：SPD18P06P GCT-ND
  别名：SPD18P06P GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 103W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN017-80BS,118
  仓库库存编号：1727-7209-1-ND
  别名：1727-7209-1
  568-9700-1
  568-9700-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 37A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 37A（Tc） 103W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN027-100BS,118
  仓库库存编号：1727-7210-1-ND
  别名：1727-7210-1
  568-9701-1
  568-9701-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 18.7A（Ta） 81.1W（Ta） PG-TO263-2
  
  型号：SPB18P06P G
  仓库库存编号：SPB18P06PGINCT-ND
  别名：SPB18P06PGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.1A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7815TRPBF
  仓库库存编号：IRF7815TRPBFCT-ND
  别名：IRF7815TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.4A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7490TRPBF
  仓库库存编号：IRF7490TRPBFCT-ND
  别名：IRF7490TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 53A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 53A（Tc） 138W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK7623-75A,118
  仓库库存编号：1727-7167-1-ND
  别名：1727-7167-1
  568-9652-1
  568-9652-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 3.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO252-3-1
  
  型号：SPD03N50C3ATMA1
  仓库库存编号：SPD03N50C3ATMA1CT-ND
  别名：SPD03N50C3ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 3.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD03N50C3
  仓库库存编号：SPD03N50C3INCT-ND
  别名：SPD03N50C3INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 158W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK624R5-30C,118
  仓库库存编号：1727-5512-1-ND
  别名：1727-5512-1
  568-6991-1
  568-6991-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 157W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK724R5-30C,118
  仓库库存编号：1727-4698-1-ND
  别名：1727-4698-1
  568-5846-1
  568-5846-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 90A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 158W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK6207-55C,118
  仓库库存编号：1727-5501-1-ND
  别名：1727-5501-1
  568-6978-1
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  MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7820TRPBF
  仓库库存编号：IRF7820TRPBFCT-ND
  别名：IRF7820TRPBFCT
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7853TRPBF
  仓库库存编号：IRF7853TRPBFCT-ND
  别名：IRF7853TRPBFCT
  
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  MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB160N04S3-H2
  仓库库存编号：IPB160N04S3H2ATMA1CT-ND
  别名：IPB160N04S3-H2CT
  IPB160N04S3-H2CT-ND
  
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  MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ12DN20NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSZ12DN20NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSZ12DN20NS3GCT
  BSZ12DN20NS3GCT-ND
  
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  MOSFET N-CH 120V 37A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 37A（Tc） 66W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ240N12NS3 G
  仓库库存编号：BSZ240N12NS3 GCT-ND
  别名：BSZ240N12NS3 GCT
  
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  MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9Z24NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRF9Z24NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRF9Z24NSTRLPBFCT
  
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  MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.1A（Tc） 66W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R520C6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R520C6ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R520C6ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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  MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC019N04NSGATMA1
  仓库库存编号：BSC019N04NSGATMA1CT-ND
  别名：BSC019N04NS GCT
  BSC019N04NS GCT-ND
  BSC019N04NSGATMA1CT-NDTR-ND
  
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  MOSFET N-CH 80V 74A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 74A（Tc） 148W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN012-80BS,118
  仓库库存编号：1727-7206-1-ND
  别名：1727-7206-1
  568-9697-1
  568-9697-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 115W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB054N06N3 G
  仓库库存编号：IPB054N06N3 GCT-ND
  别名：IPB054N06N3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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