产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 105W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
BUK7Y07-30B,115
仓库库存编号：
1727-4600-1-ND
别名：1727-4600-1
568-5510-1
568-5510-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Tc） 1.65W（Ta） SOT-223
型号：
BSP250,115
仓库库存编号：
1727-4930-1-ND
别名：1727-4930-1
568-6222-1
568-6222-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 20.3A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20.3A（Tc） 62W（Tc） D2PAK
型号：
BUK7675-55A,118
仓库库存编号：
1727-7174-1-ND
别名：1727-7174-1
568-9659-1
568-9659-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
型号：
IRFL4105TRPBF
仓库库存编号：
IRFL4105TRPBFCT-ND
别名：IRFL4105TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3-313
型号：
IPD90N04S404ATMA1
仓库库存编号：
IPD90N04S404ATMA1CT-ND
别名：IPD90N04S404ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Tc） 58W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD33CN10NGATMA1
仓库库存编号：
IPD33CN10NGATMA1CT-ND
别名：IPD33CN10NGATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB47N10S-33
仓库库存编号：
IPB47N10S33ATMA1CT-ND
别名：IPB47N10S-33CT
IPB47N10S-33CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.44A（Ta） 2.5W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO613SPV G
仓库库存编号：
BSO613SPV GCT-ND
别名：BSO613SPV GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 12.8A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 30.5W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD70R900P7SAUMA1
仓库库存编号：
IPD70R900P7SAUMA1CT-ND
别名：IPD70R900P7SAUMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3-313
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 58W（Tc） PG-TO252-3-313
型号：
IPD75N04S406ATMA1
仓库库存编号：
IPD75N04S406ATMA1CT-ND
别名：IPD75N04S406ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Tc） 3W（Ta），110W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3410TRLPBF
仓库库存编号：
IRFR3410TRLPBFCT-ND
别名：IRFR3410TRLPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.4A（Tc） 37W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R950C6ATMA1
仓库库存编号：
IPD60R950C6ATMA1CT-ND
别名：IPD60R950C6ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 20.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.5A（Tc） 43W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD70R600P7SAUMA1
仓库库存编号：
IPD70R600P7SAUMA1CT-ND
别名：IPD70R600P7SAUMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 86W（Tc） D2PAK
型号：
PSMN015-60BS,118
仓库库存编号：
1727-7207-1-ND
别名：1727-7207-1
568-9698-1
568-9698-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 190mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP300H6327XUSA1
仓库库存编号：
BSP300H6327XUSA1CT-ND
别名：BSP300H6327XUSA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 130W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3411TRPBF
仓库库存编号：
IRFR3411TRPBFCT-ND
别名：IRFR3411TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 15A
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），80A（Tc） 3.6W（Ta），104W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH7191TRPBF
仓库库存编号：
IRFH7191TRPBFCT-ND
别名：IRFH7191TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 78A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 78A（Tc） 128W（Tc） DPAK
型号：
BUK6210-55C,118
仓库库存编号：
1727-5503-1-ND
别名：1727-5503-1
568-6981-1
568-6981-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR2905ZTRPBF
仓库库存编号：
IRFR2905ZPBFCT-ND
别名：*IRFR2905ZTRPBF
IRFR2905ZPBFCT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 33.8W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ42DN25NS3 G
仓库库存编号：
BSZ42DN25NS3 GCT-ND
别名：BSZ42DN25NS3 GCT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 34W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ22DN20NS3 G
仓库库存编号：
BSZ22DN20NS3GCT-ND
别名：BSZ22DN20NS3GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 70A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 158W（Tc） DPAK
型号：
BUK7214-75B,118
仓库库存编号：
1727-4696-1-ND
别名：1727-4696-1
568-5844-1
568-5844-1-ND
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 48A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 48A（Tc） 167W（Tc） DPAK
型号：
BUK7227-100B,118
仓库库存编号：
1727-4697-1-ND
别名：1727-4697-1
568-5845-1
568-5845-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 3.8W（Ta），70W（Tc） D2PAK
型号：
IRF530NSTRLPBF
仓库库存编号：
IRF530NSTRLPBFCT-ND
别名：IRF530NSTRLPBFCT
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 89A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 89A（Tc） 195W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
BUK7Y9R9-80EX
仓库库存编号：
1727-1489-1-ND
别名：1727-1489-1
568-10969-1
568-10969-1-ND
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