产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 15A，10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 58A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 58A（Tc） 96W（Tc） I2PAK
型号：
BUK7E13-60E,127
仓库库存编号：
1727-7240-ND
别名：1727-7240
568-9847-5
568-9847-5-ND
934066633127
BUK7E1360E127
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 15A，10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V LFPAK56
详细描述：表面贴装 N 沟道 53A（Tc） 95W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN013-60YLX
仓库库存编号：
1727-2589-1-ND
别名：1727-2589-1
568-13040-1
568-13040-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 15A，10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 58A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 58A（Tc） 96W（Tc） D2PAK
型号：
BUK7613-60E,118
仓库库存编号：
1727-7250-1-ND
别名：1727-7250-1
568-9879-1
568-9879-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 15A，10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 53A（Tc） 95W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
BUK9Y15-60E,115
仓库库存编号：
1727-1494-1-ND
别名：1727-1494-1
568-10974-1
568-10974-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 15A，10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 35.6A（Tc） 3.9W（Ta），29.8W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7772DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7772DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7772DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 15A，10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 14.6A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 14.6A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
型号：
SI4712DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4712DY-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 15A，10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 10A 3.1W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
型号：
NVMFD5873NLT1G
仓库库存编号：
NVMFD5873NLT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 15A，10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 10A 3.1W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
型号：
NVMFD5873NLWFT1G
仓库库存编号：
NVMFD5873NLWFT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 15A，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 61A（Tc） 87W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3707
仓库库存编号：
IRFU3707-ND
别名：*IRFU3707
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 15A，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 61A（Tc） 87W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3707
仓库库存编号：
IRFR3707-ND
别名：*IRFR3707
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 15A，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 61A（Tc） 87W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3707TR
仓库库存编号：
IRFR3707TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 15A，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 61A（Tc） 87W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3707TRL
仓库库存编号：
IRFR3707TRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 15A，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 61A（Tc） 87W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3707TRR
仓库库存编号：
IRFR3707TRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 15A，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 61A（Tc） 87W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3707PBF
仓库库存编号：
IRFU3707PBF-ND
别名：*IRFU3707PBF
SP001571912
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 15A，10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 61A（Tc） 87W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3707TRPBF
仓库库存编号：
IRFR3707PBFCT-ND
别名：*IRFR3707TRPBF
IRFR3707PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 15A，10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 58A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 58A（Tc） 96W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK7514-60E,127
仓库库存编号：
568-9836-5-ND
别名：568-9836-5
934066468127
BUK751460E127
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 15A，10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 54A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 54A（Tc） 96W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK9515-60E,127
仓库库存编号：
568-9858-5-ND
别名：568-9858-5
934066475127
BUK951560E127
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 15A，10V,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 54A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 60V 54A（Tc） 96W（Tc） I2PAK
型号：
BUK9E15-60E,127
仓库库存编号：
568-9868-5-ND
别名：568-9868-5
934066659127
BUK9E1560E127
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 15A，10V,
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