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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 13.4A（Ta），67A（Tc） 3.6W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MZ
  
  型号：IRF6674TR1PBF
  仓库库存编号：IRF6674TR1PBFCT-ND
  别名：IRF6674TR1PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 4.9A（Ta），28A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MZ
  
  型号：IRF6775MTR1PBF
  仓库库存编号：IRF6775MTR1PBFCT-ND
  别名：IRF6775MTR1PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 3.4A（Ta），19A（Tc） 2.8W（Ta），57W（Tc） DIRECTFET? MZ
  
  型号：IRF6785MTR1PBF
  仓库库存编号：IRF6785MTR1PBFCT-ND
  别名：IRF6785MTR1PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 55V 4.7A, 3.4A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7343QTRPBF
  仓库库存编号：IRF7343QTRPBFCT-ND
  别名：IRF7343QTRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 13A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 13A（Tc） 114W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP50R250CPHKSA1
  仓库库存编号：IPP50R250CPHKSA1-ND
  别名：IPP50R250CP
  IPP50R250CP-ND
  SP000236071
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 50A（Tc） 56W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB075N04LGATMA1
  仓库库存编号：IPB075N04LGATMA1CT-ND
  别名：IPB075N04L GCT
  IPB075N04L GCT-ND
  IPB075N04LG
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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