产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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分立半导体产品
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Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 5.8A, 4.8A 1.8W Surface Mount 8-SO
型号：
ZXMC3A18DN8TA
仓库库存编号：
ZXMC3A18DN8CT-ND
别名：ZXMC3A18DN8CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7A（Tc） 173W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB7N65CTM
仓库库存编号：
FQB7N65CTMCT-ND
别名：FQB7N65CTMCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 70A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 60V 70A（Tc） 100W（Tc） TO-220
型号：
AOT462
仓库库存编号：
785-1147-2-ND
别名：785-1147-2
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 6.26A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.26A（Tc） 147W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB8N60CFTM
仓库库存编号：
FQB8N60CFTM-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 7A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 650V 7A（Tc） 52W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF7N65C_F105
仓库库存编号：
FQPF7N65C_F105-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.5A（Tc） 48W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF8N60CT
仓库库存编号：
FQPF8N60CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 8A 3.2W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4226DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4226DY-T1-GE3TR-ND
别名：SI4226DY-T1-GE3TR
SI4226DYT1GE3
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 13A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 13A（Tc） 2.5W（Ta），41W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR130ATM
仓库库存编号：
IRFR130ATM-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 200V 6.5A（Tc） 70W（Tc） TO-220-3
型号：
SFP9630
仓库库存编号：
SFP9630-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 34A 8SOP ADV
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 34A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPCA8A02-H(TE12LQM
仓库库存编号：
TPCA8A02-H(TE12LQM-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 8A 3.2W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4226DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4226DY-T1-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 4.3A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 800V 4.3A（Ta） 2W（Ta），36W（Tc） TO-220FI（LS）
型号：
BFL4004
仓库库存编号：
BFL4004-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 14.5A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14.5A（Ta），25A（Tc） 2.4W（Ta），31W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6408L
仓库库存编号：
785-1341-1-ND
别名：785-1341-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 7A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 7A（Ta），35A（Tc） 2.1W（Ta），100W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
AOB462L
仓库库存编号：
AOB462L-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 52W（Tc） TO-220F
型号：
GP1M010A060FH
仓库库存编号：
GP1M010A060FH-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 13A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 500V 13A（Tc） 52W（Tc） TO-220F
型号：
GP1M013A050FH
仓库库存编号：
GP1M013A050FH-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 10A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 198W（Tc） TO-220
型号：
GP1M010A060H
仓库库存编号：
1560-1175-5-ND
别名：1560-1175-1
1560-1175-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 13A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 500V 13A（Tc） 183W（Tc） TO-220
型号：
GP1M013A050H
仓库库存编号：
1560-1181-5-ND
别名：1560-1181-1
1560-1181-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 650V 9.5A（Tc） 52W（Tc） TO-220F
型号：
GP2M010A065F
仓库库存编号：
1560-1207-5-ND
别名：1560-1207-1
1560-1207-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 9.5A（Tc） 198W（Tc） TO-220
型号：
GP2M010A065H
仓库库存编号：
1560-1208-5-ND
别名：1560-1208-1
1560-1208-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 12A（Ta） 3.1W（Ta）
型号：
AO4407B
仓库库存编号：
AO4407B-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 12A（Ta） 3.1W（Ta）
型号：
AO4407BL
仓库库存编号：
AO4407BL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Tc） 3.1W（Ta） 8-SO
型号：
AO4494H
仓库库存编号：
AO4494H-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 52A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 52A（Tc） 120W（Tc） TO-220AB
型号：
PHP52N06T,127
仓库库存编号：
PHP52N06T,127-ND
别名：934056885127
PHP52N06T
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产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 54A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 55V 54A（Tc） 118W（Tc） TO-220AB
型号：
PHP54N06T,127
仓库库存编号：
PHP54N06T,127-ND
别名：934056643127
PHP54N06T
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