以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 58W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP20N50P3M
  仓库库存编号：IXFP20N50P3M-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 380W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP20N50P3
  仓库库存编号：IXFP20N50P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 380W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ20N50P3
  仓库库存编号：IXFQ20N50P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 16A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 347W（Tc） TO-220
  
  型号：IXFP16N60P3
  仓库库存编号：IXFP16N60P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB090N06N3 G
  仓库库存编号：IPB090N06N3 GCT-ND
  别名：IPB090N06N3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 157W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK7607-30B,118
  仓库库存编号：1727-4700-1-ND
  别名：1727-4700-1
  568-5848-1
  568-5848-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 13A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 114W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI50R250CPXKSA1
  仓库库存编号：IPI50R250CPXKSA1-ND
  别名：IPI50R250CP
  IPI50R250CP-ND
  SP000523750
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 60V 17A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），100A（Tc） 3.2W（Ta），116W（Tc） 8-SON（5x6）
  
  型号：CSD18533Q5A
  仓库库存编号：296-35027-1-ND
  别名：296-35027-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7846DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7846DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7846DP-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 55V 4.7A, 3.4A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7343TRPBF
  仓库库存编号：IRF7343PBFCT-ND
  别名：*IRF7343TRPBF
  IRF7343PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 55V 4.7A, 3.4A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：AUIRF7343QTR
  仓库库存编号：AUIRF7343QCT-ND
  别名：AUIRF7343QCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB28N60M2
  仓库库存编号：497-14972-1-ND
  别名：497-14972-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 35V 15A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），59A（Tc） 3.8W（Ta），55W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD6635
  仓库库存编号：FDD6635CT-ND
  别名：FDD6635CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4488DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4488DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4488DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 60A SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 43W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRC10DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIRC10DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIRC10DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
• 
  
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 96W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM650N15CR RLG
  仓库库存编号：TSM650N15CR RLGTR-ND
  别名：TSM650N15CR RLGTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 96W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM650N15CR RLG
  仓库库存编号：TSM650N15CR RLGCT-ND
  别名：TSM650N15CR RLGCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 96W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM650N15CR RLG
  仓库库存编号：TSM650N15CR RLGDKR-ND
  别名：TSM650N15CR RLGDKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 70W（Tc） DPAK
  
  型号：STD80N4F6
  仓库库存编号：497-13576-1-ND
  别名：497-13576-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  DUAL N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C M
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 36A (Tc) 187W Surface Mount PowerPAK? 8 x 8 Dual
  
  型号：SQJQ980EL-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJQ980EL-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJQ980EL-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
• 
  
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 130W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB20N65M5
  仓库库存编号：497-13639-1-ND
  别名：497-13639-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 18A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 130W（Tc） I2PAK
  
  型号：STI20N65M5
  仓库库存编号：497-13774-5-ND
  别名：497-13774-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 18A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 48W（Tc） TO-3PF
  
  型号：STFW20N65M5
  仓库库存编号：STFW20N65M5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 19.2W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA472EDJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA472EDJ-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
• 
  
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 65A U8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），67A（Tc） 810mW（Ta），31W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NTTFS4C06NTWG
  仓库库存编号：NTTFS4C06NTWG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索