产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 89W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
FCD620N60ZF
仓库库存编号：
FCD620N60ZFCT-ND
别名：FCD620N60ZFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 55A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Tc） 2W（Ta） TO-252
型号：
DMNH10H028SK3Q-13
仓库库存编号：
DMNH10H028SK3Q-13DICT-ND
别名：DMNH10H028SK3Q-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 1.6W（Ta） PowerDI5060-8
型号：
DMNH10H028SPSQ-13
仓库库存编号：
DMNH10H028SPSQ-13DICT-ND
别名：DMNH10H028SPSQ-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.7A（Ta），20A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
型号：
FDMS86250
仓库库存编号：
FDMS86250CT-ND
别名：FDMS86250CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 650V 15A PWRFLT8X8HV
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 2.8W（Ta），110W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
型号：
STL22N65M5
仓库库存编号：
497-13600-1-ND
别名：497-13600-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 17A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 101W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP80R280P7XKSA1
仓库库存编号：
IPP80R280P7XKSA1-ND
别名：SP001422724
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 17A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3F
型号：
IPA80R280P7XKSA1
仓库库存编号：
IPA80R280P7XKSA1-ND
别名：SP001422552
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC018NE2LSI
仓库库存编号：
BSC018NE2LSICT-ND
别名：BSC018NE2LSICT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 20A 65W Surface Mount PG-TDSON-8-10
型号：
IPG20N04S408AATMA1
仓库库存编号：
IPG20N04S408AATMA1CT-ND
别名：IPG20N04S408AATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 17A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 101W（Tc） TO-252
型号：
IPD80R280P7ATMA1
仓库库存编号：
IPD80R280P7ATMA1CT-ND
别名：IPD80R280P7ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 188W（Tc） TO-220-3
型号：
CSD18503KCS
仓库库存编号：
296-34974-5-ND
别名：296-34974-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 80V 94A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 188W（Tc） TO-220-3
型号：
CSD19503KCS
仓库库存编号：
296-37481-5-ND
别名：296-37481-5
CSD19503KCS-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 15A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 170W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP15N40
仓库库存编号：
FDP15N40-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 14A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
IXFP14N60P
仓库库存编号：
IXFP14N60P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP093N06N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPP093N06N3GXKSA1-ND
别名：IPP093N06N3 G
IPP093N06N3 G-ND
IPP093N06N3G
SP000680852
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 33W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
IPA50R250CP
仓库库存编号：
IPA50R250CP-ND
别名：IPA50R250CPXKSA1
SP000236080
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 70A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 100W（Tc） TO-220
型号：
AOT462
仓库库存编号：
785-1147-5-ND
别名：785-1147-1
785-1147-1-ND
785-1147-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 7A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 52W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF7N65C
仓库库存编号：
FQPF7N65C-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 44A DPAK-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 44A（Tc） 144W（Tc） TO-252AA
型号：
FDD3672_F085
仓库库存编号：
FDD3672_F085CT-ND
别名：FDD3672_F085CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 7.5A（Tc） 3.13W（Ta），147W（Tc） I2PAK（TO-262）
型号：
FQI8N60CTU
仓库库存编号：
FQI8N60CTU-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7.5A
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.5A（Tc） 3.13W（Ta），147W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB8N60CTM_WS
仓库库存编号：
FQB8N60CTM_WSCT-ND
别名：FQB8N60CTM_WSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
型号：
SI4488DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4488DY-T1-E3CT-ND
别名：SI4488DY-T1-E3CT
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 7A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 52W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
型号：
FQPF7N65CYDTU
仓库库存编号：
FQPF7N65CYDTU-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 35A TO-263AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 150W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB42AN15A0_F085
仓库库存编号：
FDB42AN15A0_F085CT-ND
别名：FDB42AN15A0_F085CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 125W（Tc）
型号：
IRF740ASTRLPBF
仓库库存编号：
IRF740ASTRLPBFCT-ND
别名：IRF740ASTRLPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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