产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(156)
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
(13)
晶体管 - FET，MOSFET - 单
(143)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(9)
Diodes Incorporated(5)
Fairchild/ON Semiconductor(36)
Global Power Technologies Group(6)
Infineon Technologies(28)
IXYS(18)
Nexperia USA Inc.(4)
NXP USA Inc.(2)
ON Semiconductor(6)
Rohm Semiconductor(2)
STMicroelectronics(9)
Taiwan Semiconductor Corporation(3)
Texas Instruments(4)
Toshiba Semiconductor and Storage(2)
Vishay Siliconix(22)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236
详细描述：表面贴装 P 沟道 7.6A（Tc） 1.25W（Ta），2.5W（Tc） TO-236
型号：
SI2369DS-T1-GE3
仓库库存编号：
SI2369DS-T1-GE3CT-ND
别名：SI2369DS-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 44A D-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta），44A（Tc） 135W（Tc） TO-252AA
型号：
FDD3672
仓库库存编号：
FDD3672CT-ND
别名：FDD3672CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A SC-70
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 19.2W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
型号：
SIA400EDJ-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA400EDJ-T1-GE3CT-ND
别名：SIA400EDJ-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 4.7A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF7341TRPBF
仓库库存编号：
IRF7341PBFCT-ND
别名：*IRF7341TRPBF
IRF7341PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 8A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF7351TRPBF
仓库库存编号：
IRF7351TRPBFCT-ND
别名：IRF7351TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56
详细描述：表面贴装 N 沟道 9.3A（Ta），46A（Tc） 3.1W（Ta），8.3W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
型号：
IRFH5053TRPBF
仓库库存编号：
IRFH5053TRPBFCT-ND
别名：IRFH5053TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF740APBF
仓库库存编号：
IRF740APBF-ND
别名：*IRF740APBF
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 11.6A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
型号：
SI4487DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4487DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4487DY-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 40V 20A TDSON-8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 20A 65W Surface Mount PG-TDSON-8-4
型号：
IPG20N04S408ATMA1
仓库库存编号：
IPG20N04S408ATMA1CT-ND
别名：IPG20N04S408ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），100A（Tc） 3.2W（Ta），116W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD18533Q5AT
仓库库存编号：
296-41959-1-ND
别名：296-41959-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） I2PAK
型号：
IRF740ALPBF
仓库库存编号：
IRF740ALPBF-ND
别名：*IRF740ALPBF
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 30V 18A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 3.1W（Ta） 8-SOIC
型号：
AO4494
仓库库存编号：
785-1291-1-ND
别名：785-1291-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta） 3W（Ta），31W（Tc） 8-HSOP
型号：
RS1E280GNTB
仓库库存编号：
RS1E280GNTBCT-ND
别名：RS1E280GNTBCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ018NE2LSI
仓库库存编号：
BSZ018NE2LSICT-ND
别名：BSZ018NE2LSICT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 75A（Tc） 157W（Tc） D2PAK
型号：
BUK7608-40B,118
仓库库存编号：
1727-4702-1-ND
别名：1727-4702-1
568-5850-1
568-5850-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 6.26A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 6.26A（Tc） 48W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF8N60CFT
仓库库存编号：
FQPF8N60CFT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N CH 40V 80A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 70W（Tc） TO-251
型号：
STU80N4F6
仓库库存编号：
497-13657-5-ND
别名：497-13657-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 13A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 114W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW50R250CP
仓库库存编号：
IPW50R250CP-ND
别名：IPW50R250CPFKSA1
SP000301162
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 22A I2PAK-FP
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 30W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
型号：
STFI28N60M2
仓库库存编号：
497-15001-5-ND
别名：497-15001-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
型号：
RQ3E130BNTB
仓库库存编号：
RQ3E130BNTBCT-ND
别名：RQ3E130BNTBCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 12.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS8876
仓库库存编号：
FDS8876CT-ND
别名：FDS8876CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 50A 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 75W（Tj） Power56
型号：
FDMS9410_F085
仓库库存编号：
FDMS9410_F085CT-ND
别名：FDMS9410_F085CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 1.6W（Ta） PowerDI5060-8
型号：
DMNH10H028SPS-13
仓库库存编号：
DMNH10H028SPS-13DICT-ND
别名：DMNH10H028SPS-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 55A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Tc） 2W（Ta） TO-252，（D-Pak）
型号：
DMNH10H028SK3-13
仓库库存编号：
DMNH10H028SK3-13DICT-ND
别名：DMNH10H028SK3-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 70W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
STB80N4F6AG
仓库库存编号：
497-16506-1-ND
别名：497-16506-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
