产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 69W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
SIHD3N50D-E3
仓库库存编号：
SIHD3N50D-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 30A U8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 3.1W（Ta），21W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NVTFS4823NWFTAG
仓库库存编号：
NVTFS4823NWFTAG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 12A, 16A 20W, 33W Surface Mount 6-PowerPair?
型号：
SIZ904DT-T1-GE3
仓库库存编号：
SIZ904DT-T1-GE3CT-ND
别名：SIZ904DT-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A WDFN8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.5A, 6.3A 800mW, 810mW Surface Mount 8-WDFN (3x3)
型号：
NTLLD4901NFTWG
仓库库存编号：
NTLLD4901NFTWG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 5.9A DPAK-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.7A（Tc） 74W（Tc） DPAK
型号：
NDD60N900U1T4G
仓库库存编号：
NDD60N900U1T4G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A 34W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号：
SQJ992EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ992EP-T1_GE3-ND
别名：SQJ992EP-T1-GE3
SQJ992EP-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.17A（Tc） 3.2W（Ta），12.5W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7117DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7117DN-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 525V 6A DPAK-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 100W（Tc） D-Pak
型号：
TK6P53D(T6RSS-Q)
仓库库存编号：
TK6P53D(T6RSS-Q)-ND
别名：TK6P53DT6RSSQ
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 7A DPAK-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 100W（Tc） D-Pak
型号：
TK7P50D(T6RSS-Q)
仓库库存编号：
TK7P50D(T6RSS-Q)-ND
别名：TK7P50DT6RSSQ
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 5.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9014TRLPBF
仓库库存编号：
IRFR9014TRLPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 1.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR310TRLPBF
仓库库存编号：
IRFR310TRLPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-4
详细描述：通孔 N 沟道 600V 5.7A（Tc） 74W（Tc） I-Pak
型号：
NDD60N900U1-1G
仓库库存编号：
NDD60N900U1-1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 5.7A（Tc） 74W（Tc） I-Pak
型号：
NDD60N900U1-35G
仓库库存编号：
NDD60N900U1-35G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.2A（Ta） 60W（Tc） DPAK
型号：
TK6P60W,RVQ
仓库库存编号：
TK6P60WRVQCT-ND
别名：TK6P60WRVQCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-262
详细描述：通孔 P 沟道 60V 6.7A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） I2PAK
型号：
IRF9Z14LPBF
仓库库存编号：
IRF9Z14LPBF-ND
别名：*IRF9Z14LPBF
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 6.7A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9Z14STRLPBF
仓库库存编号：
IRF9Z14STRLPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 5.3A TO220FP
详细描述：通孔 P 沟道 5.3A（Tc） 27W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI9Z14GPBF
仓库库存编号：
IRFI9Z14GPBF-ND
别名：*IRFI9Z14GPBF
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A WDFN8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 5.5A, 6.3A 800mW, 810mW Surface Mount 8-WDFN (3x3)
型号：
NTLLD4951NFTWG
仓库库存编号：
NTLLD4951NFTWG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 5.5A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 5.5A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK6A55DA(STA4,Q,M)
仓库库存编号：
TK6A55DA(STA4QM)-ND
别名：TK6A55DA(STA4QM)
TK6A55DASTA4QM
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 525V 6A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK6A53D(STA4,Q,M)
仓库库存编号：
TK6A53D(STA4QM)-ND
别名：TK6A53D(STA4QM)
TK6A53DSTA4QM
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 7A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK7A50D(STA4,Q,M)
仓库库存编号：
TK7A50D(STA4QM)-ND
别名：TK7A50D(STA4QM)
TK7A50DSTA4QM
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 6.2A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 6.2A（Ta） 60W（Tc） I-Pak
型号：
TK6Q60W,S1VQ
仓库库存编号：
TK6Q60WS1VQ-ND
别名：TK6Q60W,S1VQ(S
TK6Q60WS1VQ
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
详细描述：通孔 P 沟道 6.7A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF9Z10
仓库库存编号：
IRF9Z10-ND
别名：*IRF9Z10
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
含铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS
型号：
2SK3566(STA4,Q,M)
仓库库存编号：
2SK3566(STA4QM)-ND
别名：2SK3566(Q)
2SK3566(STA4QM)
2SK3566Q
2SK3566Q-ND
2SK3566STA4QM
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 6.2A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 6.2A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK6A60W,S4VX
仓库库存编号：
TK6A60WS4VX-ND
别名：TK6A60W,S4VX(M
TK6A60WS4VX
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