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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 40A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 40A（Tc） 3.75W（Ta），83W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM40N02-12P-E3
  仓库库存编号：SUM40N02-12P-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 40V 6.5A ECH8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 6.5A 1.5W Surface Mount 8-ECH
  
  型号：ECH8662-TL-H
  仓库库存编号：ECH8662-TL-H-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 7A（Tc） 5W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SQ3426EEV-T1-GE3
  仓库库存编号：SQ3426EEV-T1-GE3CT-ND
  别名：SQ3426EEV-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 4.5V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 12V 4A 6DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12V 4A（Ta） 1.8W（Ta） 6-DFN（1.6x1.6）
  
  型号：AON1620
  仓库库存编号：AON1620-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 4.5V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.5A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：AO4404BL
  仓库库存编号：AO4404BL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta），35A（Tc） 1.7W（Ta），17W（Tc） DIRECTFET S1
  
  型号：IRF6720S2TR1PBF
  仓库库存编号：IRF6720S2TR1PBFCT-ND
  别名：IRF6720S2TR1PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 15A（Ta），35A（Tc） 3.1W（Ta） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7914TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH7914TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH7914TR2PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF8714GPBF
  仓库库存编号：IRF8714GPBF-ND
  别名：SP001551628
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF8721GPBF
  仓库库存编号：IRF8721GPBF-ND
  别名：SP001555790
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 15A 5X6 PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 15A（Ta），44A（Tc） 3.6W（Ta），26W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
  
  型号：IRFH5306TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH5306TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH5306TR2PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 12A（Ta），39A（Tc） 1.8W（Ta），21W（Tc） DIRECTFET S1
  
  型号：IRF6709S2TR1PBF
  仓库库存编号：IRF6709S2TR1PBFCT-ND
  别名：IRF6709S2TR1PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 13A, 28A 2.4W, 3.4W Surface Mount PQFN (5x6)
  
  型号：IRFH7911TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH7911TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH7911TR2PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 4.5V,
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