产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 4.5V,
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分立半导体产品
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 30V 8A DFN 2x2B
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta） 2.8W（Ta） 6-DFN-EP（2x2）
型号：
AON2410
仓库库存编号：
785-1396-2-ND
别名：785-1396-2
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 4.5V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6DFN
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.8A 1.5W Surface Mount 6-DFN-EP (2x2)
型号：
AON2803
仓库库存编号：
AON2803-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 12V 5A EMH8
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 5A 1.2W Surface Mount 8-EMH
型号：
EMH2314-TL-H
仓库库存编号：
EMH2314-TL-H-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 4.5V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
型号：
RJK0354DSP-00#J0
仓库库存编号：
RJK0354DSP-00#J0CT-ND
别名：RJK0354DSP-00#J0CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 4.5V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 35A WPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Ta） 30W（Tc） 8-WPAK
型号：
RJK03M4DPA-00#J5A
仓库库存编号：
RJK03M4DPA-00#J5A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF8714GTRPBF
仓库库存编号：
IRF8714GTRPBFTR-ND
别名：IRF8714GTRPBFTR
SP001570678
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF8721GTRPBF
仓库库存编号：
IRF8721GTRPBFTR-ND
别名：IRF8721GTRPBFTR
SP001565746
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 4.5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Tc） 2.7W（Tc） 8-SO
型号：
STS12NH3LL
仓库库存编号：
497-4122-1-ND
别名：497-4122-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 4.5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 12A 8-PWRSOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 3W（Ta），50W（Tc） 8-SOIC
型号：
STSJ50NH3LL
仓库库存编号：
497-4755-1-ND
别名：497-4755-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 4.5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 15A POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 15A（Tc） 2W（Ta），50W（Tc） PowerFlat?（3.3x3.3）
型号：
STL15N3LLH5
仓库库存编号：
497-12599-1-ND
别名：497-12599-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.6A（Ta） 1.3W（Ta） ChipFET?
型号：
NTHS5443T1
仓库库存编号：
NTHS5443T1OS-ND
别名：NTHS5443T1OS
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 4.5V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-TSSOP
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6A 1.6W Surface Mount 8-TSSOP
型号：
FDW2512NZ
仓库库存编号：
FDW2512NZ-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 20V 6.4A 8TSSOP
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6.4A 1.1W Surface Mount 8-TSSOP
型号：
FDW2510NZ
仓库库存编号：
FDW2510NZ-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4.6A（Ta） 1.14W（Ta） 6-TSOP
型号：
SI3434DV-T1-E3
仓库库存编号：
SI3434DV-T1-E3CT-ND
别名：SI3434DV-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 3.9A（Ta） 1.1W（Ta） 8-SO
型号：
SI4446DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4446DY-T1-E3CT-ND
别名：SI4446DY-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 9A（Ta），54A（Tc） 1.28W（Ta），50W（Tc） I-Pak
型号：
NTD4810NH-1G
仓库库存编号：
NTD4810NH-1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 9A（Ta），54A（Tc） 1.28W（Ta），50W（Tc） I-Pak
型号：
NTD4810NH-35G
仓库库存编号：
NTD4810NH-35G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8.6A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9A（Ta），54A（Tc） 1.28W（Ta），50W（Tc） DPAK
型号：
NTD4810NHT4G
仓库库存编号：
NTD4810NHT4G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 20V 8A POWER33
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 8A 2.1W Surface Mount 8-Power33 (3x3)
型号：
FDMC3300NZA
仓库库存编号：
FDMC3300NZA-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 3.9A（Ta） 1.1W（Ta） 8-SO
型号：
SI4446DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4446DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4446DY-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 3A SOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 8V 3A（Ta） 710mW（Ta） SOT-23-3
型号：
SI2311DS-T1-E3
仓库库存编号：
SI2311DS-T1-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 3A SOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 8V 3A（Ta） 710mW（Ta） SOT-23-3
型号：
SI2311DS-T1-GE3
仓库库存编号：
SI2311DS-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4.6A（Ta） 1.14W（Ta） 6-TSOP
型号：
SI3434DV-T1-GE3
仓库库存编号：
SI3434DV-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.8A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号：
SI7925DN-T1-E3
仓库库存编号：
SI7925DN-T1-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.8A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号：
SI7925DN-T1-GE3
仓库库存编号：
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产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 4.5V,
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