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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 4.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 560V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP04N50C3HKSA1
  仓库库存编号：SPP04N50C3HKSA1-ND
  别名：SPP04N50C3
  SPP04N50C3IN
  SPP04N50C3IN-ND
  SPP04N50C3X
  SPP04N50C3XK
  SPP04N50C3XTIN
  SPP04N50C3XTIN-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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  无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 560V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD04N50C3T
  仓库库存编号：SPD04N50C3XTINCT-ND
  别名：SPD04N50C3XTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 23A（Tc） 100W（Tc） DPAK
  
  型号：PHD23NQ10T,118
  仓库库存编号：PHD23NQ10T,118-ND
  别名：934055697118
  PHD23NQ10T /T3
  PHD23NQ10T /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V SOT96-1
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：PHK4NQ10T,518
  仓库库存编号：PHK4NQ10T,518-ND
  别名：934055907518
  PHK4NQ10T /T3
  PHK4NQ10T /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 110V 16A SOT186A
  详细描述：通孔 N 沟道 110V 16A（Tc） 41.6W（Tc） TO-220-3
  
  型号：PHX23NQ11T,127
  仓库库存编号：PHX23NQ11T,127-ND
  别名：934058493127
  PHX23NQ11T
  PHX23NQ11T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 13A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 13A（Tc） 27W（Tc） TO-220-3
  
  型号：PHX23NQ10T,127
  仓库库存编号：PHX23NQ10T,127-ND
  别名：934055797127
  PHX23NQ10T
  PHX23NQ10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB10N10L
  仓库库存编号：SPB10N10L-ND
  别名：SP000013836
  SPB10N10LT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10.3A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI10N10L
  仓库库存编号：SPI10N10L-ND
  别名：SP000013850
  SPI10N10LX
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP10N10L
  仓库库存编号：SPP10N10L-ND
  别名：SP000013849
  SPP10N10LX
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB10N10L G
  仓库库存编号：SPB10N10LGINCT-ND
  别名：SPB10N10LG
  SPB10N10LGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 9A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R385CPBTMA1
  仓库库存编号：IPD60R385CPBTMA1CT-ND
  别名：IPD60R385CPINCT
  IPD60R385CPINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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