产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 5.5A（Tc） 74W（Tc） D2PAK
型号：
IRF730ASTRR
仓库库存编号：
IRF730ASTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 400V 5.5A（Tc） I2PAK
型号：
IRF730L
仓库库存编号：
IRF730L-ND
别名：*IRF730L
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3.5A TO-262
详细描述：通孔 P 沟道 200V 3.5A（Tc） I2PAK
型号：
IRF9620L
仓库库存编号：
IRF9620L-ND
别名：*IRF9620L
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 3.5A（Tc） 3W（Ta），40W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9620STRL
仓库库存编号：
IRF9620STRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 3.5A（Tc） 3W（Ta），40W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9620STRR
仓库库存编号：
IRF9620STRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 3A（Ta） 1.3W（Ta） SOT-223（TO-261）
型号：
NTF3055-100T1
仓库库存编号：
NTF3055-100T1OSCT-ND
别名：NTF3055-100T1OSCT
NTF3055100T1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 6A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 6A（Tc） 1.75W（Ta），50W（Tc） DPAK-3
型号：
MTD6P10E
仓库库存编号：
MTD6P10EOS-ND
别名：MTD6P10EOS
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 3A（Ta） 1.3W（Ta） SOT-223
型号：
NTF3055-100T3LF
仓库库存编号：
NTF3055-100T3LFOS-ND
别名：NTF3055-100T3LFOS
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 15A（Tc） 48.4W（Tc） D2PAK
型号：
NTB18N06T4
仓库库存编号：
NTB18N06T4OS-ND
别名：NTB18N06T4OS
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 15A（Tc） 48.4W（Tc） TO-220AB
型号：
NTP18N06
仓库库存编号：
NTP18N06OS-ND
别名：NTP18N06OS
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
含铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 25A 8-SOPA
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 25A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPCA8016-H(TE12LQM
仓库库存编号：
TPCA8016HTE12LQMDKR-ND
别名：TPCA8016HTE12LQDKR
TPCA8016HTE12LQDKR-ND
TPCA8016HTE12LQM
TPCA8016HTE12LQMDKR
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 5A（Ta） 20W（Tc） PW-MOLD
型号：
2SJ377(TE16R1,NQ)
仓库库存编号：
2SJ377NQCT-ND
别名：2SJ377NQCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 15A（Tc） 48.4W（Tc） D2PAK
型号：
NTB18N06T4G
仓库库存编号：
NTB18N06T4GOS-ND
别名：NTB18N06T4GOS
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 15A（Tc） 48.4W（Tc） TO-220AB
型号：
NTP18N06G
仓库库存编号：
NTP18N06GOS-ND
别名：NTP18N06GOS
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 7.9A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7.9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS9412
仓库库存编号：
FDS9412-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 7A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 400V 7A（Tc） 98W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP7N40
仓库库存编号：
FQP7N40-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 6A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 300V 6A（Tc） 42W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF9N30
仓库库存编号：
FQPF9N30-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 4.6A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 400V 4.6A（Tc） 42W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF7N40
仓库库存编号：
FQPF7N40-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 3.6A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 500V 3.6A（Tc） 42W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF6N50
仓库库存编号：
FQPF6N50-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 5.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 5.5A（Tc） 3.13W（Ta），130W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB6N50TM
仓库库存编号：
FQB6N50TM-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 5.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 500V 5.5A（Tc） 98W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP6N50
仓库库存编号：
FQP6N50-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 5.5A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 500V 5.5A（Tc） 3.13W（Ta），130W（Tc） I2PAK
型号：
FQI6N50TU
仓库库存编号：
FQI6N50TU-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 15A（Tc） 48.4W（Tc） D2PAK
型号：
NTB18N06
仓库库存编号：
NTB18N06-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 15A（Tc） 48.4W（Tc） D2PAK
型号：
NTB18N06G
仓库库存编号：
NTB18N06G-ND
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Renesas Electronics America
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8-SOP
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 11A 3W Surface Mount 8-SOP
型号：
HAT2092R-EL-E
仓库库存编号：
HAT2092R-EL-E-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22nC @ 10V,
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