产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 12A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH12N100
仓库库存编号：
IXTH12N100-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 16A TO-264AA
详细描述：通孔 N 沟道 900V 16A（Tc） 360W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK16N90Q
仓库库存编号：
IXFK16N90Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 15A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 15A（Tc） 360W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK15N100Q
仓库库存编号：
IXFK15N100Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 16A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 900V 16A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH16N90Q
仓库库存编号：
IXFH16N90Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 15A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH15N100Q
仓库库存编号：
IXFH15N100Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 27A PLUS 247
详细描述：通孔 N 沟道 800V 27A（Tc） 500W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX27N80Q
仓库库存编号：
IXFX27N80Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 18A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 18A（Tc） 350W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR21N100Q
仓库库存编号：
IXFR21N100Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 27A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 800V 27A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK27N80Q
仓库库存编号：
IXFK27N80Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 24A PLUS 247
详细描述：通孔 N 沟道 900V 24A（Tc） 500W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX24N90Q
仓库库存编号：
IXFX24N90Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 27A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 800V 27A（Tc） 500W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR27N80Q
仓库库存编号：
IXFR27N80Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS 247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 21A（Tc） 500W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX21N100Q
仓库库存编号：
IXFX21N100Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 21A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 21A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK21N100Q
仓库库存编号：
IXFK21N100Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 24A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 900V 24A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK24N90Q
仓库库存编号：
IXFK24N90Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 21A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN21N100Q
仓库库存编号：
IXFN21N100Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 800V 27A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN27N80Q
仓库库存编号：
IXFN27N80Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 500V 25A SP1
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 500V 25A 208W Chassis Mount SP1
型号：
APTM50H15FT1G
仓库库存编号：
APTM50H15FT1G-ND
别名：APTM50H15UT1G
APTM50H15UT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD90N06S4L03ATMA2
仓库库存编号：
IPD90N06S4L03ATMA2-ND
别名：SP001028764
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB90N06S4L04ATMA2
仓库库存编号：
IPB90N06S4L04ATMA2-ND
别名：SP001028756
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI90N06S4L04AKSA2
仓库库存编号：
IPI90N06S4L04AKSA2-ND
别名：SP001028760
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N04S204ATMA2
仓库库存编号：
IPB80N04S204ATMA2-ND
别名：SP001063636
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI80N04S204AKSA2
仓库库存编号：
IPI80N04S204AKSA2-ND
别名：SP001063634
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 300W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL3206PBF
仓库库存编号：
IRFSL3206PBF-ND
别名：SP001578476
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 120A（Tc） 306W（Tc） D2PAK
型号：
PSMN3R8-100BS,118
仓库库存编号：
1727-7109-1-ND
别名：1727-7109-1
568-9479-1
568-9479-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO247-4
详细描述：通孔 N 沟道 600V 77.5A（Tc） 481W（Tc） PG-TO247-4
型号：
IPZ60R041P6FKSA1
仓库库存编号：
IPZ60R041P6FKSA1-ND
别名：SP001313878
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 16A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 16A（Tc） 230W（Tc） TO-247-3
型号：
STW18NK60Z
仓库库存编号：
497-4422-5-ND
别名：497-4422-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V,
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