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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS4310ZTRLPBF
  仓库库存编号：IRFS4310ZTRLPBFCT-ND
  别名：IRFS4310ZTRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB3207ZPBF
  仓库库存编号：IRFB3207ZPBF-ND
  别名：SP001575584
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 42A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 625W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT42F50B
  仓库库存编号：APT42F50B-ND
  别名：APT42F50BMP
  APT42F50BMP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB4310ZPBF
  仓库库存编号：IRFB4310ZPBF-ND
  别名：SP001570588
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB3207ZGPBF
  仓库库存编号：IRFB3207ZGPBF-ND
  别名：SP001554560
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 338W（Tc） I2PAK
  
  型号：PSMN4R3-100ES,127
  仓库库存编号：1727-6500-ND
  别名：1727-6500
  568-8596-5
  568-8596-5-ND
  934066116127
  PSMN4R3100ES127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 44A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 44A（Ta），130A（Tc） 3.2W（Ta），125W（Tc） Dual Cool?56
  
  型号：FDMS8320LDC
  仓库库存编号：FDMS8320LDCCT-ND
  别名：FDMS8320LDCCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRFS4310ZTRL
  仓库库存编号：AUIRFS4310ZTRLCT-ND
  别名：AUIRFS4310ZTRLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB4710PBF
  仓库库存编号：IRFB4710PBF-ND
  别名：*IRFB4710PBF
  SP001556118
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 32A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 284W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：SPW32N50C3FKSA1
  仓库库存编号：SPW32N50C3FKSA1-ND
  别名：SP000014625
  SPW32N50C3
  SPW32N50C3-ND
  SPW32N50C3IN
  SPW32N50C3IN-ND
  SPW32N50C3X
  SPW32N50C3XK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 270W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN1R8-30BL,118
  仓库库存编号：1727-7112-1-ND
  别名：1727-7112-1
  568-9482-1
  568-9482-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 333W（Tc） H2PAK-6
  
  型号：STH272N6F7-6AG
  仓库库存编号：STH272N6F7-6AG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 75A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN003-30P,127
  仓库库存编号：PSMN003-30P,127-ND
  别名：934056787127
  PSMN003-30P
  PSMN003-30P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A 10-POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
  
  型号：SIE812DF-T1-E3
  仓库库存编号：SIE812DF-T1-E3TR-ND
  别名：SIE812DF-T1-E3TR
  SIE812DFT1E3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
  
  型号：SIE812DF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIE812DF-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 278W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG460B-GE3
  仓库库存编号：SIHG460B-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 72A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 72A（Tc） 400W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH72N20
  仓库库存编号：IXTH72N20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 900V 16A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 16A（Tc） 360W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT16N90Q
  仓库库存编号：IXFT16N90Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 800V 13A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 13A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH13N80
  仓库库存编号：IXTH13N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 88A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 88A（Tc） 400W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT88N15
  仓库库存编号：IXTT88N15-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 42A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 42A（Tc） 625W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT42F50S
  仓库库存编号：APT42F50S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 20A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH20N60
  仓库库存编号：IXTH20N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 200V 72A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 72A（Tc） 400W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT72N20
  仓库库存编号：IXTT72N20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 800V 14A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 14A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH14N80
  仓库库存编号：IXTH14N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 900V 12A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 12A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH12N90
  仓库库存编号：IXTH12N90-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V,
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