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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB031NE7N3GATMA1
  仓库库存编号：IPB031NE7N3GATMA1CT-ND
  别名：IPB031NE7N3 GCT
  IPB031NE7N3 GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 117nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 160A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-7
  
  型号：IPB039N10N3GE8187ATMA1
  仓库库存编号：IPB039N10N3GE8187ATMA1TR-ND
  别名：IPB039N10N3 G E8187
  IPB039N10N3 G E8187-ND
  IPB039N10N3 G E8187TR-ND
  SP000939340
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 117nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 100A
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI037N08N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPI037N08N3GXKSA1-ND
  别名：SP000680654
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 117nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 75A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK7504-40A,127
  仓库库存编号：568-9805-5-ND
  别名：568-9805-5
  934056693127
  BUK7504-40A
  BUK7504-40A,127-ND
  BUK7504-40A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 117nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI037N08N3GHKSA1
  仓库库存编号：IPI037N08N3GHKSA1-ND
  别名：IPI037N08N3 G
  IPI037N08N3 G-ND
  SP000454278
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 117nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI034NE7N3 G
  仓库库存编号：IPI034NE7N3 G-ND
  别名：IPI034NE7N3G
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 117nC @ 10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP037N08N3GE8181XKSA1
  仓库库存编号：IPP037N08N3GE8181XKSA1-ND
  别名：IPP037N08N3 G E8181
  IPP037N08N3 G E8181-ND
  SP000765976
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 117nC @ 10V,
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