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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 95A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 95A（Tc） 310W（Tc） TO-247AC
  
  型号：AUIRFP1405
  仓库库存编号：AUIRFP1405-ND
  别名：SP001515966
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 180nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 54A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 54A（Tc） 350W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW55NM50N
  仓库库存编号：497-8462-5-ND
  别名：497-8462-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 180nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 36A SUPER247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 36A（Tc） 446W（Tc） SUPER-247（TO-274AA）
  
  型号：IRFPS37N50A
  仓库库存编号：IRFPS37N50A-ND
  别名：*IRFPS37N50A
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 180nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF1405ZTRL
  仓库库存编号：IRF1405ZTRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 180nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF1405ZTRR
  仓库库存编号：IRF1405ZTRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 180nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 14A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7483ADP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7483ADP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7483ADP-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 180nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 800V 28A SP1
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 800V 28A 277W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTC80A15T1G
  仓库库存编号：APTC80A15T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 180nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 28A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 800V 28A（Tc） 277W（Tc） SP1
  
  型号：APTC80DA15T1G
  仓库库存编号：APTC80DA15T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 180nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 28A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 800V 28A（Tc） 277W（Tc） SP1
  
  型号：APTC80SK15T1G
  仓库库存编号：APTC80SK15T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 180nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 14A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7483ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7483ADP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7483ADP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 180nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 80V 80A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 80A（Tc） 230W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXFC80N08
  仓库库存编号：IXFC80N08-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 180nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 85V 80A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 85V 80A（Tc） 230W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXFC80N085
  仓库库存编号：IXFC80N085-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 180nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 100V 80A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 80A（Tc） 230W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXFC80N10
  仓库库存编号：IXFC80N10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 180nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 150V 70A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 70A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH70N15
  仓库库存编号：IXFH70N15-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 180nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 80V 80A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 80A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH80N08
  仓库库存编号：IXFH80N08-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 180nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 85V 80A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 85V 80A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH80N085
  仓库库存编号：IXFH80N085-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 180nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 100V 80A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 80A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH80N10
  仓库库存编号：IXFH80N10-ND
  
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  MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 100V 100A（Tc） 360W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN100N10S1
  仓库库存编号：IXFN100N10S1-ND
  
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  MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 100V 100A（Tc） 360W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN100N10S2
  仓库库存编号：IXFN100N10S2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 180nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 100V 100A（Tc） 360W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN100N10S3
  仓库库存编号：IXFN100N10S3-ND
  
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  MOSFET N-CH 150V 80A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 80A（Tc） 360W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT80N15Q
  仓库库存编号：IXFT80N15Q-ND
  
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 110A（Ta） 1.8W（Ta），220W（Tc） TO-263
  
  型号：NP109N055PUJ-E1B-AY
  仓库库存编号：NP109N055PUJ-E1B-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 180nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Tc） 1.8W（Ta），250W（Tc） TO-263-7
  
  型号：NP160N04TUJ-E1-AY
  仓库库存编号：NP160N04TUJ-E1-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 180nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V 160A TO-263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 160A（Tc） 1.8W（Ta），250W（Tc） TO-263-7
  
  型号：NP160N055TUJ-E1-AY
  仓库库存编号：NP160N055TUJ-E1-AYCT-ND
  别名：NP160N055TUJ-E1-AYCT
  NP160N055TUJE1AY
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 180nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 220A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 220A（Tc） 283W（Tc） TO-220AB
  
  型号：NTP5860NLG
  仓库库存编号：NTP5860NLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 180nC @ 10V,
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