产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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Renesas Electronics America
MOSFET 2N-CH 60V 7A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 7A 2W Surface Mount 8-SOP
型号：
UPA1764G-E2-AZ
仓库库存编号：
UPA1764G-E2-AZ-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 33A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
型号：
94-4737
仓库库存编号：
94-4737-ND
别名：*IRFR3303
IRFR3303
IRFR3303-ND
SP001517800
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 33A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3303TR
仓库库存编号：
IRFR3303TR-ND
别名：SP001572808
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 33A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 33A（Tc） 57W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3303
仓库库存编号：
IRFU3303-ND
别名：*IRFU3303
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 14A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 150V 14A（Tc） 86W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU13N15D
仓库库存编号：
IRFU13N15D-ND
别名：*IRFU13N15D
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 33A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3303TRL
仓库库存编号：
IRFR3303TRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 33A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3303TRR
仓库库存编号：
IRFR3303TRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 14A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR13N15DTR
仓库库存编号：
IRFR13N15DTR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 14A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR13N15DTRL
仓库库存编号：
IRFR13N15DTRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 14A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR13N15DTRR
仓库库存编号：
IRFR13N15DTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 5.5A（Ta） 2W（Ta） P-TSOP6-6
型号：
BSL307SP
仓库库存编号：
BSL307SPINTR-ND
别名：BSL307SPINTR
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 33A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 33A（Tc） 57W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3303PBF
仓库库存编号：
IRFU3303PBF-ND
别名：*IRFU3303PBF
SP001567700
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 5.5A（Ta） 2W（Ta） P-TSOP6-6
型号：
BSL307SPT
仓库库存编号：
BSL307SPT-ND
别名：SP000012585
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 96W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI60R299CPXKSA1
仓库库存编号：
IPI60R299CPXKSA1-ND
别名：IPI60R299CP
IPI60R299CP-ND
IPI60R299CPAKSA1
IPI60R299CPX
IPI60R299CPXK
SP000103249
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 5.5A TSOP6
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 5.5A（Ta） 2W（Ta） PG-TSOP6-6
型号：
BSL307SPL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSL307SPL6327HTSA1CT-ND
别名：BSL307SPL6327INCT
BSL307SPL6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 33A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3303CPBF
仓库库存编号：
IRFR3303CPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9.4A（Ta），63A（Tc） 114W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC152N10NSFGATMA1
仓库库存编号：
BSC152N10NSFGATMA1TR-ND
别名：BSC152N10NSF G
BSC152N10NSF G-ND
SP000379601
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 18A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 200V 18A（Tc） 100W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL4020PBF
仓库库存编号：
IRFSL4020PBF-ND
别名：SP001565208
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17A（Ta），71A（Tc） 2.3W（Ta），42W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSB053N03LP G
仓库库存编号：
BSB053N03LP G-ND
别名：SP000597830
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Ta），71A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSF053N03LT G
仓库库存编号：
BSF053N03LT G-ND
别名：SP000597832
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 25A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD600N25N3GBTMA1
仓库库存编号：
IPD600N25N3GBTMA1CT-ND
别名：IPD600N25N3 GCT
IPD600N25N3 GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 50W Surface Mount PG-TDSON-8-4
型号：
IPG20N06S415ATMA1
仓库库存编号：
IPG20N06S415ATMA1-ND
别名：SP000705490
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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