产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 48W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
IPZ40N04S5L4R8ATMA1
仓库库存编号：
IPZ40N04S5L4R8ATMA1CT-ND
别名：IPZ40N04S5L4R8ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 83W（Tc） DPAK
型号：
NVD6415ANT4G-VF01
仓库库存编号：
NVD6415ANT4G-VF01-ND
别名：NVD6415ANT4G
NVD6415ANT4G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 33A（Ta） 48W（Tc） ATPAK
型号：
NVATS5A106PLZT4G
仓库库存编号：
NVATS5A106PLZT4G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 69A U8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 18.2A（Ta） 3.2W（Ta），21W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NVTFS4824NWFTWG
仓库库存编号：
NVTFS4824NWFTWG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 30A 1W Surface Mount Power56
型号：
FDMS3660S
仓库库存编号：
FDMS3660SFSCT-ND
别名：FDMS3660SFSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 69A U8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 18.2A（Ta） 3.2W（Ta），21W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NVTFS4824NWFTAG
仓库库存编号：
NVTFS4824NWFTAG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 3.13W（Ta），72W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
IRFW630BTM_FP001
仓库库存编号：
IRFW630BTM_FP001-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 250-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 7A（Tc） 71W（Tc） TO-252AA
型号：
SQD07N25-350H_GE3
仓库库存编号：
SQD07N25-350H_GE3-ND
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 150V 5A SOT96-1
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 5A（Tc） 6.25W（Tc） 8-SO
型号：
PHK5NQ15T,518
仓库库存编号：
PHK5NQ15T,518-ND
别名：934057307518
PHK5NQ15T /T3
PHK5NQ15T /T3-ND
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无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 100V 5A 8DFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 5A 1.7W Surface Mount 8-DFN (5x6)
型号：
AON6850
仓库库存编号：
AON6850-ND
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无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 11.8A（Ta） 10.1W（Ta） TO-252，（D-Pak）
型号：
ZXMN6A09KQTC
仓库库存编号：
ZXMN6A09KQTC-ND
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 25A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 25A（Ta） 60W（Tc） TO-220-3
型号：
TK25E06K3,S1X(S
仓库库存编号：
TK25E06K3S1X(S-ND
别名：TK25E06K3S1X(S
TK25E06K3S1XS
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无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 200W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA12N50P
仓库库存编号：
IXTA12N50P-ND
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无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
FCP9N60N IN TO220 F102 T/F OPTIO
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 83.3W（Tc） TO-220F
型号：
FCP9N60N_F102
仓库库存编号：
FCP9N60N_F102-ND
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无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
型号：
IXFP12N50P
仓库库存编号：
IXFP12N50P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 6A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
型号：
IXFP12N50PM
仓库库存编号：
IXFP12N50PM-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 6A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP12N50PM
仓库库存编号：
IXTP12N50PM-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 200W（Tc） TO-263（IXFA）
型号：
IXFA12N50P
仓库库存编号：
IXFA12N50P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP12N50P
仓库库存编号：
IXTP12N50P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 9A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 29.8W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
型号：
FCPF9N60NTYDTU
仓库库存编号：
FCPF9N60NTYDTU-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A TO-263AA
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 330W（Tc） TO-263（IXFA）
型号：
IXFA16N50P3
仓库库存编号：
IXFA16N50P3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 330W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH16N50P3
仓库库存编号：
IXFH16N50P3-ND
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无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 11A TO-204AA
详细描述：通孔 P 沟道 100V 11A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA
型号：
JANTX2N6804
仓库库存编号：
1088-1031-ND
别名：1088-1031
1088-1031-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 14A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR13N15DTRPBF
仓库库存编号：
IRFR13N15DTRPBF-ND
别名：SP001571424
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 50W Surface Mount PG-TDSON-8-4
型号：
IPG20N06S415ATMA2
仓库库存编号：
IPG20N06S415ATMA2-ND
别名：SP001028634
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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