产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
型号：
SIA421DJ-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA421DJ-T1-GE3CT-ND
别名：SIA421DJ-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 54A TO-263AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），54A（Tc） 55W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB8880
仓库库存编号：
FDB8880CT-ND
别名：FDB8880CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 62A TO-263AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.9A（Ta），62A（Tc） 115W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB13AN06A0
仓库库存编号：
FDB13AN06A0CT-ND
别名：FDB13AN06A0CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 6A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 28.4W（Tc） TO-220F
型号：
FCPF850N80Z
仓库库存编号：
FCPF850N80Z-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 75W（Tc） DPAK
型号：
FCD850N80Z
仓库库存编号：
FCD850N80ZCT-ND
别名：FCD850N80ZCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 16A MLPD8X8 4L
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 125W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
型号：
STL25N60M2-EP
仓库库存编号：
497-16249-1-ND
别名：497-16249-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 6.5A（Tc） 3W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9630STRLPBF
仓库库存编号：
IRF9630STRLPBFCT-ND
别名：IRF9630STRLPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 8A
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 136W（Tc） TO-220
型号：
FCP850N80Z
仓库库存编号：
FCP850N80Z-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB
型号：
IXFP16N50P3
仓库库存编号：
IXFP16N50P3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 100W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS4020TRLPBF
仓库库存编号：
IRFS4020TRLPBFCT-ND
别名：IRFS4020TRLPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 25A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 136W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB600N25N3 G
仓库库存编号：
IPB600N25N3 GCT-ND
别名：IPB600N25N3 GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 125W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
型号：
STL24N60M2
仓库库存编号：
497-14214-1-ND
别名：497-14214-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.1A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.1A（Tc） 83W（Tc） DPAK
型号：
NDD04N60ZT4G
仓库库存编号：
NDD04N60ZT4GOSCT-ND
别名：NDD04N60ZT4GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SIS890DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SIS890DN-T1-GE3CT-ND
别名：SIS890DN-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） TO-220
型号：
STP24N60DM2
仓库库存编号：
497-14571-5-ND
别名：497-14571-5
STP24N60DM2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 4.1A（Tc） 83W（Tc） I-Pak
型号：
NDD04N60Z-1G
仓库库存编号：
NDD04N60Z-1GOS-ND
别名：NDD04N60Z-1G-ND
NDD04N60Z-1GOS
NDD04N60Z1G
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STMicroelectronics
POWER TRANSISTORS
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 111W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL140N4F7AG
仓库库存编号：
497-16679-1-ND
别名：497-16679-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 44A（Tc） 73.5W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM170N06PQ56 RLG
仓库库存编号：
TSM170N06PQ56 RLGTR-ND
别名：TSM170N06PQ56 RLGTR
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 44A（Tc） 73.5W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM170N06PQ56 RLG
仓库库存编号：
TSM170N06PQ56 RLGCT-ND
别名：TSM170N06PQ56 RLGCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 44A（Tc） 73.5W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM170N06PQ56 RLG
仓库库存编号：
TSM170N06PQ56 RLGDKR-ND
别名：TSM170N06PQ56 RLGDKR
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 111W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL160N4F7
仓库库存编号：
STL160N4F7-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
型号：
STF11NM65N
仓库库存编号：
STF11NM65N-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 14A POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 125W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
型号：
STL24N65M2
仓库库存编号：
STL24N65M2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 12A I2PAK-FP
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 35W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
型号：
STFI13N80K5
仓库库存编号：
497-15374-5-ND
别名：497-15374-5
STFI13N80K5-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） TO-247
型号：
STW25N60M2-EP
仓库库存编号：
STW25N60M2-EP-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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