产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 9.9A（Ta），50A（Tc） 115W（Tc） TO-252AA
型号：
FDD13AN06A0_F085
仓库库存编号：
FDD13AN06A0_F085CT-ND
别名：FDD13AN06A0_F085CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A PWR56
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 27A 1W Surface Mount Power56
型号：
FDMS3606S
仓库库存编号：
FDMS3606SCT-ND
别名：FDMS3606SCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A 8-PQFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 18A 1W Surface Mount Power56
型号：
FDMS3668S
仓库库存编号：
FDMS3668SCT-ND
别名：FDMS3668SCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A PWR56
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 27A 1W Surface Mount Power56
型号：
FDMS3606AS
仓库库存编号：
FDMS3606ASCT-ND
别名：FDMS3606ASCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A 8-PQFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 23A 1W Surface Mount Power56
型号：
FDMS3604AS
仓库库存编号：
FDMS3604ASFSCT-ND
别名：FDMS3604ASFSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 650V 11A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 110W（Tc） DPAK
型号：
STD11NM65N
仓库库存编号：
497-13352-1-ND
别名：497-13352-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 9A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 83.3W（Tc） TO-220-3
型号：
FCP9N60N
仓库库存编号：
FCP9N60N-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
型号：
STB24N60DM2
仓库库存编号：
497-15423-1-ND
别名：497-15423-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 16A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
型号：
STB24N65M2
仓库库存编号：
497-15304-1-ND
别名：497-15304-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
型号：
STB13N80K5
仓库库存编号：
497-13860-1-ND
别名：497-13860-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 600 V, 0.195 OHM TYP.,
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 125W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
型号：
STL24N60DM2
仓库库存编号：
497-16940-1-ND
别名：497-16940-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
型号：
STB24N60M2
仓库库存编号：
497-13575-1-ND
别名：497-13575-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 74A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 74A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC072N08NS5ATMA1
仓库库存编号：
BSC072N08NS5ATMA1CT-ND
别名：BSC072N08NS5ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 50W Surface Mount PG-TDSON-8-10
型号：
IPG20N06S415AATMA1
仓库库存编号：
IPG20N06S415AATMA1CT-ND
别名：IPG20N06S415AATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 54A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Ta），54A（Tc） 55W（Tc） TO-220AB
型号：
FDP8880
仓库库存编号：
FDP8880FS-ND
别名：FDP8880-ND
FDP8880FS
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A EP TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
STP25N60M2-EP
仓库库存编号：
497-15892-5-ND
别名：497-15892-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.8A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 4.8A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
型号：
NDF04N60ZG
仓库库存编号：
NDF04N60ZGOS-ND
别名：NDF04N60ZG-ND
NDF04N60ZGOS
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A EP TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
型号：
STF25N60M2-EP
仓库库存编号：
497-15886-5-ND
别名：497-15886-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
型号：
STFU24N60M2
仓库库存编号：
497-16110-5-ND
别名：497-16110-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
含铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 600 V, 0.168 OHM TYP.,
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
型号：
STFH24N60M2
仓库库存编号：
497-16596-5-ND
别名：497-16596-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 4.3A TO220FP
详细描述：通孔 P 沟道 4.3A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI9630GPBF
仓库库存编号：
IRFI9630GPBF-ND
别名：*IRFI9630GPBF
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8-MLP
详细描述：表面贴装 N 沟道 13.3A（Ta），16A（Tc） 2.3W（Ta），29W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
型号：
FDMC7692
仓库库存编号：
FDMC7692CT-ND
别名：FDMC7692CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 10A DPAK-4
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta），46A（Tc） 3.1W（Ta），71W（Tc） DPAK
型号：
SVD5865NLT4G
仓库库存编号：
SVD5865NLT4GOSCT-ND
别名：NVD5865NLT4GOSCT
NVD5865NLT4GOSCT-ND
SVD5865NLT4GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A 8-PQFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 25A 1W Surface Mount Power56
型号：
FDMS3664S
仓库库存编号：
FDMS3664SCT-ND
别名：FDMS3664SCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Ta） 60W（Ta） TO-252
型号：
FDD6680AS
仓库库存编号：
FDD6680ASFSCT-ND
别名：FDD6680ASFSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V,
无铅
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