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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 12A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB60R250CPATMA1
  仓库库存编号：IPB60R250CPATMA1TR-ND
  别名：IPB60R250CP
  IPB60R250CP-ND
  SP000358140
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 73A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD096N08N3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD096N08N3GBTMA1TR-ND
  别名：IPD096N08N3 G
  IPD096N08N3 G-ND
  SP000474196
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 70A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 70A（Tc） 100W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI100N08N3GHKSA1
  仓库库存编号：IPI100N08N3GHKSA1-ND
  别名：IPI100N08N3 G
  IPI100N08N3 G-ND
  SP000474192
  SP000680710
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 12A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI60R250CPAKSA1
  仓库库存编号：IPI60R250CPAKSA1-ND
  别名：IPI60R250CP
  IPI60R250CP-ND
  SP000358141
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 50A（Tc） 100W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU103N08N3 G
  仓库库存编号：IPU103N08N3 G-ND
  别名：SP000521640
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 12A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R250CP
  仓库库存编号：IPW60R250CP-ND
  别名：IPW60R250CPFKSA1
  SP000310511
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 167W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK7210-55B/C1,118
  仓库库存编号：BUK7210-55B/C1,118-ND
  别名：934062108118
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 58A（Tc） 94W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI126N10N3 G
  仓库库存编号：IPI126N10N3 G-ND
  别名：IPI126N10N3G
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 40A 5X6 PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 11A（Ta），40A（Tc） 3.6W（Ta），46W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH5406TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH5406TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH5406TR2PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 70A（Tc） 100W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB097N08N3 G
  仓库库存编号：IPB097N08N3 GCT-ND
  别名：IPB097N08N3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 59A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD122N10N3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD122N10N3GBTMA1CT-ND
  别名：IPD122N10N3 GCT
  IPD122N10N3 GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V,
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