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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 5.2A（Ta） 3W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7494TR
  仓库库存编号：IRF7494TRCT-ND
  别名：*IRF7494TR
  IRF7494TRCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
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  含铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 73A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 73A（Tc） 166W（Tc） D2PAK
  
  型号：PHB73N06T,118
  仓库库存编号：PHB73N06T,118-ND
  别名：934056645118
  PHB73N06T /T3
  PHB73N06T /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 73A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 73A（Tc） 166W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP73N06T,127
  仓库库存编号：PHP73N06T,127-ND
  别名：934056646127
  PHP73N06T
  PHP73N06T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 7.4A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
  
  型号：BSO200P03SNTMA1
  仓库库存编号：BSO200P03SNTMA1TR-ND
  别名：BSO200P03S
  BSO200P03S-ND
  BSO200P03SNT
  BSO200P03ST
  SP000014959
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI11N60S5BKSA1
  仓库库存编号：SPI11N60S5BKSA1-ND
  别名：SP000013033
  SP000680992
  SPI11N60S5
  SPI11N60S5-ND
  SPI11N60S5IN
  SPI11N60S5IN-ND
  SPI11N60S5X
  SPI11N60S5XK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
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  无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：SPW11N60S5FKSA1
  仓库库存编号：SPW11N60S5FKSA1-ND
  别名：SP000012462
  SPW11N60S5
  SPW11N60S5-ND
  SPW11N60S5IN
  SPW11N60S5IN-ND
  SPW11N60S5X
  SPW11N60S5XK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
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  无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 50A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD144N06NGBTMA1
  仓库库存编号：IPD144N06NGBTMA1CT-ND
  别名：IPD144N06NG
  IPD144N06NGINCT
  IPD144N06NGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB11N60S5ATMA1
  仓库库存编号：SPB11N60S5ATMA1CT-ND
  别名：SPB11N60S5INCT
  SPB11N60S5INCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 5.1A 8VQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5.1A（Ta） 3.6W（Ta），8.3W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
  
  型号：IRFH5020TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH5020TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH5020TR2PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 41A 8PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 41A（Ta） 3.6W（Ta），89W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH4213TRPBF
  仓库库存编号：IRFH4213TRPBFCT-ND
  别名：IRFH4213TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 15A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 15A（Ta），93A（Tc） 2.8W（Ta），104W（Tc） DIRECTFET? MN
  
  型号：IRF7171MTRPBF
  仓库库存编号：IRF7171MTRPBFCT-ND
  别名：IRF7171MTRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 20A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 20A（Ta），128A（Tc） 3.9W（Ta），156W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7184TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7184TRPBF-ND
  别名：SP001570944
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 22A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 22A（Ta） 3.6W（Ta），156W（Tc） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7885TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7885TRPBFCT-ND
  别名：IRFH7885TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
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