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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 80A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 110W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU90N4F3
  仓库库存编号：STU90N4F3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 80A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 110W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU95N4F3
  仓库库存编号：STU95N4F3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 14A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF644NS
  仓库库存编号：IRF644NS-ND
  别名：*IRF644NS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 14A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 14A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF644N
  仓库库存编号：IRF644N-ND
  别名：*IRF644N
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 14A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF644NSTRL
  仓库库存编号：IRF644NSTRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 14A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF644NSTRR
  仓库库存编号：IRF644NSTRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 14A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 14A（Tc） 150W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF644NLPBF
  仓库库存编号：IRF644NLPBF-ND
  别名：*IRF644NLPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 14A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 14A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF644NPBF
  仓库库存编号：IRF644NPBF-ND
  别名：*IRF644NPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 14A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF644NSPBF
  仓库库存编号：IRF644NSPBF-ND
  别名：*IRF644NSPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 14A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF644NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRF644NSTRLPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 5.8A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 5.8A（Tc） 55W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF12N60T
  仓库库存编号：FQPF12N60T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 10.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10.5A（Tc） 180W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP12N60
  仓库库存编号：FQP12N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 10.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 10.5A（Tc） 3.13W（Ta），180W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB12N60TM_AM002
  仓库库存编号：FQB12N60TM_AM002-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 10.5A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10.5A（Tc） 3.13W（Ta），180W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI12N60TU
  仓库库存编号：FQI12N60TU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 12A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 240W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA12N60
  仓库库存编号：FQA12N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7.8A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.8A（Tc） 100W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF12N60
  仓库库存编号：FQAF12N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 5.8A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 5.8A（Tc） 55W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF12N60
  仓库库存编号：FQPF12N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 20.5A（Tc） 3.6W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4108DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4108DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4108DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 75V 90A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 90A（Tc） 180W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP90N075T2
  仓库库存编号：IXTP90N075T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 17A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 17A（Tc） 132W（Tc） TO-220-3
  
  型号：SFP9540
  仓库库存编号：SFP9540-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 65A ATPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 65A（Ta） 50W（Tc） ATPAK
  
  型号：ATP207-TL-H
  仓库库存编号：869-1082-1-ND
  别名：869-1082-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 50A（Tc） TO-220-3
  
  型号：TK50E06K3A,S1X(S
  仓库库存编号：TK50E06K3AS1X(S-ND
  别名：TK50E06K3AS1X(S
  TK50E06K3AS1XS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 60V 36A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 36A（Tc） 1.8W（Ta），56W（Tc） TO-263
  
  型号：NP36P06KDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP36P06KDG-E1-AYCT-ND
  别名：NP36P06KDG-E1-AYCT
  NP36P06KDGE1AY
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 8.2A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 8.2A（Ta），60A（Tc） 2.6W（Ta），150W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB412L
  仓库库存编号：AOB412L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP11N60S5HKSA1
  仓库库存编号：SPP11N60S5HKSA1-ND
  别名：SPP11N60S5
  SPP11N60S5IN
  SPP11N60S5IN-ND
  SPP11N60S5X
  SPP11N60S5XTIN
  SPP11N60S5XTIN-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
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