产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 6A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXFH）
型号：
IXFH6N100F
仓库库存编号：
IXFH6N100F-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 312W（Tc） TO-3PN
型号：
GP1M020A050N
仓库库存编号：
1560-1191-5-ND
别名：1560-1191-1
1560-1191-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
型号：
STB95N4F3
仓库库存编号：
497-12427-1-ND
别名：497-12427-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
STD95N04
仓库库存编号：
497-5106-1-ND
别名：497-5106-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 182W（Tc） D2PAK
型号：
BUK764R0-40E,118
仓库库存编号：
1727-7253-1-ND
别名：1727-7253-1
568-9882-1
568-9882-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC040N08NS5ATMA1
仓库库存编号：
BSC040N08NS5ATMA1CT-ND
别名：BSC040N08NS5ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 192W（Tc） TO-220AB
型号：
STP20NM60
仓库库存编号：
497-3184-5-ND
别名：497-3184-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），48W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR460DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR460DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR460DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 32A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 500W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ32N65X
仓库库存编号：
IXTQ32N65X-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 45W（Tc） TO-220FP
型号：
STP20NM60FP
仓库库存编号：
497-2771-5-ND
别名：497-2771-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 192W（Tc） D2PAK
型号：
STB20NM60T4
仓库库存编号：
497-5384-1-ND
别名：497-5384-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 60V 26A TO251A
详细描述：通孔 P 沟道 26A（Tc） 2.5W（Ta），60W（Tc） TO-251A
型号：
AOI409
仓库库存编号：
AOI409-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 90A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 150W（Tj） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD86369_F085
仓库库存编号：
FDD86369_F085CT-ND
别名：FDD86369_F085CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 75V 42A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 40W（Tc） TO-220F
型号：
FKI07117
仓库库存编号：
FKI07117-ND
别名：FKI07111
FKI07111-ND
FKI07117 DK
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 35A 8HSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 35A（Tc） 1W（Ta），77W（Tc） 8-HSON
型号：
NP35N04YUG-E1-AY
仓库库存编号：
NP35N04YUG-E1-AYCT-ND
别名：NP35N04YUG-E1-AYCT
NP35N04YUGE1AY
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 60A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 8.2A（Ta），60A（Tc） 2.6W（Ta），150W（Tc） TO-220
型号：
AOT412
仓库库存编号：
785-1241-5-ND
别名：785-1241-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 7.8A TO262F
详细描述：通孔 N 沟道 100V 7.8A（Ta），30A（Tc） 2.1W（Ta），33W（Tc）
型号：
AOWF412
仓库库存编号：
AOWF412-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 7.4A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO200P03SHXUMA1
仓库库存编号：
BSO200P03SHXUMA1TR-ND
别名：BSO200P03S H
BSO200P03S H-ND
SP000613850
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 7.2A 8DSO
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 7.2A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO303SPHXUMA1
仓库库存编号：
BSO303SPHXUMA1CT-ND
别名：BSO303SP HCT
BSO303SP HCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 87A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 40V 87A（Tc） 143W（Tc） TO-220AB
型号：
AUIRF3504
仓库库存编号：
AUIRF3504-ND
别名：SP001521622
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 600V 20A（Tc） 192W（Tc） I2PAK
型号：
STB20NM60-1
仓库库存编号：
497-5383-5-ND
别名：497-5383-5
STB20NM60-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
型号：
STP95N04
仓库库存编号：
497-5132-5-ND
别名：497-5132-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
型号：
STP90N4F3
仓库库存编号：
497-7534-5-ND
别名：497-7534-5
STP90N4F3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
STD90N4F3
仓库库存编号：
497-8481-1-ND
别名：497-8481-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 110W（Tc） I2PAK
型号：
STI90N4F3
仓库库存编号：
STI90N4F3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V,
无铅
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