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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 21A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 21A（Tc） 330W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP21N60L
  仓库库存编号：IRFP21N60L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 22A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 22A（Tc） 370W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP22N60K
  仓库库存编号：IRFP22N60K-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 52A（Tc） 360W（Tc） TO-268（IXFT）
  
  型号：IXFT52N30Q TRL
  仓库库存编号：IXFT52N30Q TRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 40A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 40A（Tc） 48W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRFI2807
  仓库库存编号：IRFI2807-ND
  别名：*IRFI2807
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP100N03S2-03
  仓库库存编号：SPP100N03S2-03IN-ND
  别名：SPP100N03S2-03IN
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB100N03S2-03
  仓库库存编号：SPB100N03S203INTR-ND
  别名：SPB100N03S203INTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 75A（Tc） 220W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF1404ZSTRL
  仓库库存编号：IRF1404ZSTRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 75A（Tc） 220W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF1404ZSTRR
  仓库库存编号：IRF1404ZSTRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 75A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 75A（Tc） 220W（Tc） TO-262
  
  型号：64-2042
  仓库库存编号：64-2042-ND
  别名：*IRF1404ZL
  IRF1404ZL
  IRF1404ZL-ND
  SP001518170
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF3305
  仓库库存编号：IRF3305-ND
  别名：*IRF3305
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF3305PBF
  仓库库存编号：IRF3305PBF-ND
  别名：*IRF3305PBF
  AUXNSF3305
  AUXNSF3305-ND
  SP001576766
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP100N03S203
  仓库库存编号：SPP100N03S203-ND
  别名：SP000013463
  SPP100N03S203X
  SPP100N03S203X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB100N03S2-03 G
  仓库库存编号：SPB100N03S2-03 G-ND
  别名：SP000200140
  SPB100N03S203GXT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N03S2-03
  仓库库存编号：SPB80N03S2-03-ND
  别名：SP000016251
  SPB80N03S203T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N03S203GATMA1
  仓库库存编号：SPB80N03S203GATMA1TR-ND
  别名：SP000200139
  SPB80N03S2-03 G
  SPB80N03S2-03 G-ND
  SPB80N03S203GXT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N06S2L-06
  仓库库存编号：SPB80N06S2L-06-ND
  别名：SP000013577
  SPB80N06S2L06T
  
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  MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI100N03S2-03
  仓库库存编号：SPI100N03S2-03-ND
  别名：SP000013492
  SPI100N03S203X
  
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  MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI80N03S2-03
  仓库库存编号：SPI80N03S2-03-ND
  别名：SP000016262
  SPI80N03S203X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N03S2-03
  仓库库存编号：SPP80N03S2-03-ND
  别名：SP000012468
  SPP80N03S203X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N06S2L-06
  仓库库存编号：SPP80N06S2L-06-ND
  别名：SP000013576
  SPP80N06S2L06
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 40V 120A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 75A（Tc） 200W（Tc） TO-262
  
  型号：64-2105PBF
  仓库库存编号：64-2105PBF-ND
  别名：IRF1404ZLPBF
  IRF1404ZLPBF-ND
  SP001519330
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S2L06ATMA1
  仓库库存编号：IPB80N06S2L06ATMA1TR-ND
  别名：IPB80N06S2L-06
  IPB80N06S2L-06-ND
  SP000218163
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N06S2L06AKSA1
  仓库库存编号：IPP80N06S2L06AKSA1-ND
  别名：IPP80N06S2L-06
  IPP80N06S2L-06-ND
  SP000218824
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 75A（Tc） 220W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF1404ZGPBF
  仓库库存编号：IRF1404ZGPBF-ND
  别名：SP001553874
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 375A（Tc） 3.3W（Ta），125W（Tc） DIRECTFET L8
  
  型号：IRF7779L2TR1PBF
  仓库库存编号：IRF7779L2TR1PBFCT-ND
  别名：IRF7779L2TR1PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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