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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 10A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 90W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU11NM60ND
  仓库库存编号：STU11NM60ND-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 90W（Tc） I2PAK
  
  型号：STI11NM60ND
  仓库库存编号：STI11NM60ND-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 11A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 11A（Tc） 100W（Tc） I2PAK
  
  型号：STI12NM50N
  仓库库存编号：STI12NM50N-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 90W（Tc） TO-220-3
  
  型号：STP13NM60N
  仓库库存编号：497-8787-5-ND
  别名：497-8787-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF13NM60N-H
  仓库库存编号：STF13NM60N-H-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 90W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW13NM60N
  仓库库存编号：497-10996-5-ND
  别名：497-10996-5
  STW13NM60N-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 100A（Tc） 79W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN3R2-25YLC,115
  仓库库存编号：568-6732-1-ND
  别名：568-6732-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.3A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：NDS8936
  仓库库存编号：NDS8936CT-ND
  别名：NDS8936CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：NDS8947
  仓库库存编号：NDS8947CT-ND
  别名：NDS8947CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 30V 5.3A/4A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 5.3A, 4A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：NDS8958
  仓库库存编号：NDS8958CT-ND
  别名：NDS8958CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 20V 3A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.5A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：NDS9958
  仓库库存编号：NDS9958CT-ND
  别名：NDS9958CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.3A, 4.8A 1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：NDS8858H
  仓库库存编号：NDS8858HCT-ND
  别名：NDS8858HCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3.5A 2W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：DI9945T
  仓库库存编号：DI9945CT-ND
  别名：DI9945
  DI9945CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 50V 30A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ30
  仓库库存编号：IRFZ30-ND
  别名：*IRFZ30
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 3A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI9955DY
  仓库库存编号：SI9955DYCT-ND
  别名：SI9955DYCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 12A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 12A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：MTP2955V
  仓库库存编号：MTP2955VOS-ND
  别名：MTP2955VOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 6A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 6A（Tc） 75W（Tc） TO-220AB
  
  型号：MTP6P20E
  仓库库存编号：MTP6P20EOS-ND
  别名：MTP6P20EOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 6A（Tc） 1.25W（Ta），20W（Tc） DPAK
  
  型号：MTD6N15T4
  仓库库存编号：MTD6N15T4OSCT-ND
  别名：MTD6N15T4OSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 20A（Ta） 1.88W（Ta），60W（Tj） DPAK-3
  
  型号：NTD20N06T4
  仓库库存编号：NTD20N06T4OS-ND
  别名：NTD20N06T4OS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 25V 3.6A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 3.6A 2W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：MMDF2N02ER2
  仓库库存编号：MMDF2N02ER2OS-ND
  别名：MMDF2N02ER2OS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 12A（Tc） 60W（Tc） DPAK-3
  
  型号：MTD2955VT4
  仓库库存编号：MTD2955VT4OS-ND
  别名：MTD2955VT4OS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 1.29W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：NTMD6N03R2
  仓库库存编号：NTMD6N03R2OS-ND
  别名：NTMD6N03R2OS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6A（Ta） 2W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：NTMSD6N303R2
  仓库库存编号：NTMSD6N303R2OS-ND
  别名：NTMSD6N303R2OS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 27A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 27A（Ta） 88.2W（Tc） TO-220AB
  
  型号：NTP27N06
  仓库库存编号：NTP27N06OS-ND
  别名：NTP27N06OS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 18A（Ta） 2.1W（Ta），55W（Tj） I-Pak
  
  型号：NTD18N06-001
  仓库库存编号：NTD18N06-001OS-ND
  别名：NTD18N06-001OS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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