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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 7.6A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 7.6A（Tc） TO-220ABFP
  
  型号：IXKP20N60C5M
  仓库库存编号：IXKP20N60C5M-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 9A（Ta），39.6A（Tc） 2.1W（Ta），40W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ180P03NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSZ180P03NS3GATMA1TR-ND
  别名：BSZ180P03NS3 G
  BSZ180P03NS3 G-ND
  SP000709744
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 56W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD060N03LGBTMA1
  仓库库存编号：IPD060N03LGBTMA1-ND
  别名：SP000236948
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 20V 40V 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 70A（Tc） 50W（Tc） PG-TDSON-8-34
  
  型号：IPC70N04S5L4R2ATMA1
  仓库库存编号：IPC70N04S5L4R2ATMA1-ND
  别名：SP001418126
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 50A（Tc） 72W（Tc） PG-TO252-3-313
  
  型号：IPD50N08S413ATMA1
  仓库库存编号：IPD50N08S413ATMA1-ND
  别名：SP000988948
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 25V 27A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 27A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），50W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ017NE2LS5IATMA1
  仓库库存编号：BSZ017NE2LS5IATMA1-ND
  别名：SP001288152
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 33A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC015NE2LS5IATMA1
  仓库库存编号：BSC015NE2LS5IATMA1-ND
  别名：SP001288138
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 43A（Tc） 71W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：AUIRFR3806TRL
  仓库库存编号：AUIRFR3806TRL-ND
  别名：SP001521230
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9A（Ta），40A（Tc） 2.2W（Ta），43W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSF134N10NJ3 G
  仓库库存编号：BSF134N10NJ3 GCT-ND
  别名：BSF134N10NJ3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 60V 43A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 43A（Tc） 71W（Tc） TO-220AB
  
  型号：AUIRFB3806
  仓库库存编号：AUIRFB3806-ND
  别名：SP001522276
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 43A（Tc） 71W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRFS3806TRL
  仓库库存编号：AUIRFS3806TRL-ND
  别名：SP001516146
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 800V 13A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 13A（Tc） 30W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPAN80R360P7XKSA1
  仓库库存编号：IPAN80R360P7XKSA1-ND
  别名：SP001702158
  
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  MOSFET N-CH 1KV 3A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 3A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP3NB100
  仓库库存编号：497-2641-5-ND
  别名：497-2641-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF830
  仓库库存编号：497-2732-5-ND
  别名：497-2732-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 600V 5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 5A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP5NB60
  仓库库存编号：497-2769-5-ND
  别名：497-2769-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STP11NM60FP
  仓库库存编号：497-3181-5-ND
  别名：497-3181-5
  
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  MOSFET N-CH 500V 11A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 11A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF12NM50N
  仓库库存编号：497-4804-5-ND
  别名：497-4804-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 500V 11A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 11A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP12NM50N
  仓库库存编号：497-4818-5-ND
  别名：497-4818-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 11A（Tc） 160W（Tc） I2PAK
  
  型号：STB11NM60-1
  仓库库存编号：497-5379-5-ND
  别名：497-5379-5
  STB11NM60-1-ND
  
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  MOSFET N-CH 500V 11A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 11A（Tc） 100W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD12NM50N
  仓库库存编号：497-5784-1-ND
  别名：497-5784-1
  
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  MOSFET N-CH 500V 12A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 100W（Tc） I2PAK
  
  型号：STB13NM50N-1
  仓库库存编号：STB13NM50N-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 500V 12A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF13NM50N
  仓库库存编号：497-7468-5-ND
  别名：497-7468-5
  STF13NM50N-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP13NM50N
  仓库库存编号：497-7505-5-ND
  别名：497-7505-5
  STP13NM50N-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 500V 12A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 100W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW13NM50N
  仓库库存编号：497-7617-5-ND
  别名：497-7617-5
  STW13NM50N-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 12A（Tc） 100W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB13NM50N
  仓库库存编号：497-7932-1-ND
  别名：497-7932-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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