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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 9A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Ta），55A（Tc） 2.1W（Ta），75W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT2610L
  仓库库存编号：AOT2610L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 35A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Ta），35A（Tc） 2.1W（Ta），31W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF2610L
  仓库库存编号：785-1638-5-ND
  别名：785-1638-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 40A U8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta） 3.2W（Ta），21W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NVTFS5811NLWFTAG
  仓库库存编号：NVTFS5811NLWFTAG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 10A（Tc） 147W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP10N40D-GE3
  仓库库存编号：SIHP10N40D-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 7.5A (Tc) 3.3W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：SQ4949EY-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ4949EY-T1_GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 4.4W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SQ4920EY-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ4920EY-T1_GE3-ND
  别名：SQ4920EY-T1-GE3
  SQ4920EY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8.7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 8.7A（Tc） 156W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SIHB8N50D-GE3
  仓库库存编号：SIHB8N50D-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 5.5A（Tc） 158W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP6N80C
  仓库库存编号：FQP6N80C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 10A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 10A（Tc） 147W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SIHB10N40D-GE3
  仓库库存编号：SIHB10N40D-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 11.5A（Tc） 42W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF12N50FT
  仓库库存编号：FDPF12N50FT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 40V 6A 1212-8
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 40V 6A 20.8W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
  
  型号：SI7905DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7905DN-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7454DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7454DP-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 23.4A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 23.4A（Tc） 41.1W（Tc） TO-220F
  
  型号：PSMN027-100XS,127
  仓库库存编号：568-9501-5-ND
  别名：568-9501-5
  934066046127
  PSMN027-100XS,127-ND
  PSMN027-100XS127
  PSMN027100XS127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 31W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCPF7N60
  仓库库存编号：FCPF7N60-ND
  别名：FCPF7N60_NL
  FCPF7N60_NL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 501V 650V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：DMG8N65SCT
  仓库库存编号：DMG8N65SCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 10A LDPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 100W（Tc） 4-LDPAK
  
  型号：RJK6012DPE-00#J3
  仓库库存编号：RJK6012DPE-00#J3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Tc） 84W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD80R360P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD80R360P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD80R360P7ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.5A（Tc） 165W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB12N50FTM_WS
  仓库库存编号：FDB12N50FTM_WSCT-ND
  别名：FDB12N50FTM_WSCT
  
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 75W（Tc） LPTS
  
  型号：R5011ANJTL
  仓库库存编号：R5011ANJTL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Ta） 35W（Tc） TO-220FN
  
  型号：RDN100N20FU6
  仓库库存编号：RDN100N20FU6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXKP13N60C5
  仓库库存编号：IXKP13N60C5-ND
  
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 6.5A（Tc） TO-220ABFP
  
  型号：IXKP13N60C5M
  仓库库存编号：IXKP13N60C5M-ND
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 30W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA80R360P7XKSA1
  仓库库存编号：IPA80R360P7XKSA1-ND
  别名：SP001633514
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 84W（Tc） PG-TO220-3
  
  型号：IPP80R360P7XKSA1
  仓库库存编号：IPP80R360P7XKSA1-ND
  别名：SP001633518
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 84W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW80R360P7XKSA1
  仓库库存编号：IPW80R360P7XKSA1-ND
  别名：SP001633520
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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