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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 90W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD13NM60N
  仓库库存编号：497-8773-1-ND
  别名：497-8773-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 11.5A（Tc） 165W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP12N50
  仓库库存编号：FDP12N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 31W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
  
  型号：FCPF7N60YDTU
  仓库库存编号：FCPF7N60YDTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V TO-220F-3
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 42W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF12N50UT
  仓库库存编号：FDPF12N50UT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 83W（Tc） I2PAK
  
  型号：FCI7N60
  仓库库存编号：FCI7N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 100A F7 D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB100N6F7
  仓库库存编号：497-15894-1-ND
  别名：497-15894-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 83W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FCP7N60
  仓库库存编号：FCP7N60-ND
  别名：FCP7N60_NL
  FCP7N60_NL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 4.2A（Tc） 3.13W（Ta），140W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI4N90TU
  仓库库存编号：FQI4N90TU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 36A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 347W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP36N30P3
  仓库库存编号：IXFP36N30P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 36A TO-263AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Tc） 347W（Tc） TO-263AA
  
  型号：IXFA36N30P3
  仓库库存编号：IXFA36N30P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 46W（Tc） PG-TO252-3-313
  
  型号：IPD50N04S4L08ATMA1
  仓库库存编号：IPD50N04S4L08ATMA1CT-ND
  别名：IPD50N04S4L08ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 11A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 100W（Tc） DPAK
  
  型号：STD12NM50ND
  仓库库存编号：497-10020-1-ND
  别名：497-10020-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 90W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP11NM60ND
  仓库库存编号：497-8442-5-ND
  别名：497-8442-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 9A SC70
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Tc） 2.9W（Ta），15.6W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA459EDJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA459EDJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA459EDJ-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 60A SO-8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.2A（Ta） 3.7W（Ta），107W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS5844NLT1G
  仓库库存编号：NTMFS5844NLT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS5844NLT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS6680AS
  仓库库存编号：FDS6680ASCT-ND
  别名：FDS6680ASCT
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 16.9A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16.9A（Tc） 2.1W（Ta），41.7W（Tc） TO-252
  
  型号：SUD20N10-66L-GE3
  仓库库存编号：SUD20N10-66L-GE3CT-ND
  别名：SUD20N10-66L-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 45W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJA60EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJA60EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJA60EP-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET ARRAY 2N-CH 40V SO8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SQJB42EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJB42EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJB42EP-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 11.2A SO-8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.2A（Ta） 3.7W（Ta），107W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5844NLT1G
  仓库库存编号：NVMFS5844NLT1GOSCT-ND
  别名：NVMFS5844NLT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK FP
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 25W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI13NM60N
  仓库库存编号：497-12857-5-ND
  别名：497-12857-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 10A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 3W（Ta），90W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
  
  型号：STL13NM60N
  仓库库存编号：497-11845-1-ND
  别名：497-11845-1
  
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP11NM60
  仓库库存编号：497-2773-5-ND
  别名：497-2773-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 160W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB11NM60T4
  仓库库存编号：497-6545-1-ND
  别名：497-6545-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 32.1W（Tc） ITO-220
  
  型号：TSM60NB260CI C0G
  仓库库存编号：TSM60NB260CI C0G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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