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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 185W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP10N60NZ
  仓库库存编号：FDP10N60NZ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），45W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ058N03LS G
  仓库库存编号：BSZ058N03LSGINCT-ND
  别名：BSZ058N03LSGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 43A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB3806PBF
  仓库库存编号：IRFB3806PBF-ND
  别名：SP001572380
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 43A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL3806PBF
  仓库库存编号：IRFSL3806PBF-ND
  别名：SP001571672
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 620V 5.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 5.5A（Tc） 90W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU6N62K3
  仓库库存编号：497-12699-5-ND
  别名：497-12699-5
  STU6N62K3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FM
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Ta），5.4A（Tc） 50W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R5011FNX
  仓库库存编号：R5011FNX-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 950 V, 0.41 OHM TYP.,
  详细描述：通孔 N 沟道 7.5A（Ta） 30W I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI15N95K5
  仓库库存编号：497-17092-ND
  别名：497-17092
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 26A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 26A（Tc） 45W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ474EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ474EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ474EP-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET ARRAY 2N-CH 100V SO8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SQJ974EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ974EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ974EP-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 150V 8.9A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7315DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7315DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7315DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 28A（Tc） 107W（Tc） D2PAK
  
  型号：PHB27NQ10T,118
  仓库库存编号：1727-4763-1-ND
  别名：1727-4763-1
  568-5940-1
  568-5940-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 10A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 38W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF10N60NZ
  仓库库存编号：FDPF10N60NZ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 10A TO-220 FPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 33W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF10N40D-E3
  仓库库存编号：SIHF10N40D-E3-ND
  别名：SIHF10N40DE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 90W（Tc） I2PAK
  
  型号：STI13NM60N
  仓库库存编号：497-12258-ND
  别名：497-12258
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 22A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），22A（Tc） 2.5W（Ta），33W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS7682
  仓库库存编号：FDMS7682CT-ND
  别名：FDMS7682CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta） 700mW（Ta），30W（Tc） 8-TSON
  
  型号：TPCC8008(TE12L,QM)
  仓库库存编号：TPCC8008(TE12LQM)CT-ND
  别名：TPCC8008(TE12LQM)CT
  TPCC8008TE12LQM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CHAN 60V TSOP6S
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.5A（Ta），13A（Tc） 2W（Ta），4.2W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3127DV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3127DV-T1-GE3CT-ND
  别名：SI3127DV-T1-GE3CT
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 23A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 45W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ158EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ158EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ158EP-T1_GE3CT
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 29.8W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR172DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR172DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR172DP-T1-GE3CT
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 50A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 75W（Tj） Power56
  
  型号：FDMS86380_F085
  仓库库存编号：FDMS86380_F085CT-ND
  别名：FDMS86380_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19.3A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4162DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4162DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4162DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 75W（Tj） D-Pak
  
  型号：FDD86580_F085
  仓库库存编号：FDD86580_F085CT-ND
  别名：FDD86580_F085CT
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 75W（Tj） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD86380_F085
  仓库库存编号：FDD86380_F085CT-ND
  别名：FDD86380_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223-4
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.2A（Ta） 3W（Ta） SOT-223-4
  
  型号：NDT451AN
  仓库库存编号：NDT451ANCT-ND
  别名：NDT451ANCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Ta） 1.14W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：SI3469DV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3469DV-T1-GE3CT-ND
  别名：SI3469DV-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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