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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 20A（Ta） 1.88W（Ta），60W（Tj） I-Pak
  
  型号：NTD20N06-001
  仓库库存编号：NTD20N06-001OS-ND
  别名：NTD20N06-001OS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 10A（Ta） 35W（Tc） TO-220FN
  
  型号：RDN100N20
  仓库库存编号：RDN100N20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 50V 30A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ30PBF
  仓库库存编号：IRFZ30PBF-ND
  别名：*IRFZ30PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 25V 3.6A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 3.6A 2W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：MMDF2N02ER2G
  仓库库存编号：MMDF2N02ER2GOS-ND
  别名：MMDF2N02ER2GOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 18A（Ta） 2.1W（Ta），55W（Tj） DPAK
  
  型号：NTD18N06T4G
  仓库库存编号：NTD18N06T4GOS-ND
  别名：NTD18N06T4GOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6A（Ta） 2W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：NTMSD6N303R2G
  仓库库存编号：NTMSD6N303R2GOS-ND
  别名：NTMSD6N303R2GOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 27A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 27A（Ta） 88.2W（Tc） TO-220AB
  
  型号：NTP27N06G
  仓库库存编号：NTP27N06GOS-ND
  别名：NTP27N06GOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7A（Tc） 31W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCPF7N60T
  仓库库存编号：FCPF7N60T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 16.4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 16.4A（Tc） 108W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP16N15
  仓库库存编号：FQP16N15-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3.3A 2W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：SSD2025TF
  仓库库存编号：SSD2025TF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 16.4A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 16.4A（Tc） 3.75W（Ta），108W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB16N15TM
  仓库库存编号：FQB16N15TM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 11.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 11.8A（Tc） 2.5W（Ta），55W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD16N15TF
  仓库库存编号：FQD16N15TF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 11.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 11.8A（Tc） 2.5W（Ta），55W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD16N15TM
  仓库库存编号：FQD16N15TM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 4.2A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 4.2A（Tc） 140W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP4N90
  仓库库存编号：FQP4N90-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 2.5A（Tc） 47W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF4N90
  仓库库存编号：FQPF4N90-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 4.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 4.2A（Tc） 3.13W（Ta），140W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB4N90TM
  仓库库存编号：FQB4N90TM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7A（Tc） 83W（Tc） I2PAK
  
  型号：FCU7N60TU
  仓库库存编号：FCU7N60TU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7A（Tc） 83W（Tc） D-Pak
  
  型号：FCD7N60TF
  仓库库存编号：FCD7N60TFCT-ND
  别名：FCD7N60TFCT
  
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 80V 25A 5LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 25A（Ta） 25W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT2267H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2267H-EL-E-ND
  
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  MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 18A（Ta） 2.1W（Ta），55W（Tj） DPAK
  
  型号：NTD18N06
  仓库库存编号：NTD18N06-ND
  
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  MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 18A（Ta） 2.1W（Ta），55W（Tj） I-Pak
  
  型号：NTD18N06-1G
  仓库库存编号：NTD18N06-1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 18A（Ta） 2.1W（Ta），55W（Tj） DPAK
  
  型号：NTD18N06G
  仓库库存编号：NTD18N06G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 20A（Ta） 1.88W（Ta），60W（Tj） I-Pak
  
  型号：NTD20N06-1G
  仓库库存编号：NTD20N06-1G-ND
  
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  MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6A（Ta） 2W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：NTMSD6N303R2SG
  仓库库存编号：NTMSD6N303R2SG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 2.3A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4418DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4418DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4418DY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 30nC @ 10V,
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