产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 8A
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
AO4822_101
仓库库存编号：
AO4822_101-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
AO4822AL
仓库库存编号：
AO4822AL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
AO4822AL_102
仓库库存编号：
AO4822AL_102-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 8A
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
AO4822L_101
仓库库存编号：
AO4822L_101-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
AO4854L_102
仓库库存编号：
AO4854L_102-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 8A
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
AO4914_101
仓库库存编号：
AO4914_101-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 8A
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
AO4914L
仓库库存编号：
AO4914L-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 7A 1.5W Surface Mount 8-TSSOP
型号：
AO8822#A
仓库库存编号：
AO8822#A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 17A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 46A（Tc） 32W（Tc）
型号：
AOD4158
仓库库存编号：
AOD4158-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 13A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta），46A（Tc） 2.5W（Ta），32W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD4158P
仓库库存编号：
AOD4158P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 16A
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Ta），46A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD4162
仓库库存编号：
AOD4162-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 25V 15A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 15A（Ta），46A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD502
仓库库存编号：
AOD502-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 17A
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17A（Ta），46A（Tc） 2.5W（Ta）, 53W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD522P
仓库库存编号：
AOD522P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 9A 8DFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 9A 3.1W Surface Mount 8-DFN (3x3)
型号：
AON7804_102
仓库库存编号：
AON7804_102-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 25A（Tc） 2.5W（Ta），33W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD4120L
仓库库存编号：
AOD4120L-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：通孔 N 沟道 600V 4A（Tc） 40W（Tc） ITO-220
型号：
TSM4NC60CI C0G
仓库库存编号：
TSM4NC60CI C0G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 29A（Tc） 68W（Tc） P-TO252-3
型号：
SPD25N06S2-40
仓库库存编号：
SPD25N06S2-40-ND
别名：SP000013572
SPD25N06S240T
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 29A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD25N06S240ATMA1
仓库库存编号：
IPD25N06S240ATMA1TR-ND
别名：IPD25N06S2-40
IPD25N06S2-40-ND
SP000252164
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 47W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP080N03L G
仓库库存编号：
IPP080N03L G-ND
别名：SP000264166
SP000680836
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3-11
详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 47W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPS075N03LGAKMA1
仓库库存编号：
IPS075N03LGAKMA1-ND
别名：IPS075N03L G
IPS075N03L G-ND
IPS075N03LG
SP000705726
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 47W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU075N03L G
仓库库存编号：
IPU075N03L G-ND
别名：SP000271467
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta），53A（Tc） 2.2W（Ta），36W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSF083N03LQ G
仓库库存编号：
BSF083N03LQ G-ND
别名：SP000597834
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 10V,
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