产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 25V 55A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 55A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) TO-252
型号:
AOD452AL_008
仓库库存编号:
AOD452AL_008-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET TO-251A
详细描述:通孔 N 沟道 25V 55A(Tc) 3.2W(Ta),50W(Tc) TO-251A
型号:
AOI452A
仓库库存编号:
AOI452A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 30A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 18A(Ta),40A(Tc) 4.1W(Ta),24W(Tc) 8-DFN-EP(3x3)
型号:
AON7400B_101
仓库库存编号:
AON7400B_101-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 4A SOT96-1
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 4A(Tc) 6.25W(Tc) 8-SO
型号:
PHK4NQ20T,518
仓库库存编号:
PHK4NQ20T,518-ND
别名:934057303518
PHK4NQ20T /T3
PHK4NQ20T /T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 14.4A 8HVSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 14.4A(Tc) 62.5W(Tc) 8-HVSON(6x5)
型号:
PHM12NQ20T,518
仓库库存编号:
PHM12NQ20T,518-ND
别名:934057302518
PHM12NQ20T /T3
PHM12NQ20T /T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 4A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD04N80C3BTMA1
仓库库存编号:
SPD04N80C3BTMA1CT-ND
别名:SPD04N80C3INCT
SPD04N80C3INCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 33A(Tc) 144W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRFR4615
仓库库存编号:
AUIRFR4615-ND
别名:SP001522920
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
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