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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 3.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB03N60C3ATMA1
  仓库库存编号：SPB03N60C3ATMA1CT-ND
  别名：SPB03N60C3INCT
  SPB03N60C3INCT-ND
  SPB03N60C3XTINCT
  SPB03N60C3XTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 1.8A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP295E6327T
  仓库库存编号：BSP295XTINCT-ND
  别名：BSP295XTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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  无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 0.7A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 700mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：SPN03N60C3
  仓库库存编号：SPN03N60C3-ND
  别名：SP000014455
  SP000101879
  SPN03N60C3T
  SPN03N60C3XT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 0.8A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 800mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：SPN04N60S5
  仓库库存编号：SPN04N60S5-ND
  别名：SP000012414
  SP000101882
  SPN04N60S5T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 1.8A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP295L6327HTSA1
  仓库库存编号：BSP295L6327HTSA1CT-ND
  别名：BSP295L6327
  BSP295L6327INCT
  BSP295L6327INCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta），44A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC100N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC100N03LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC100N03LSGINCT
  BSC100N03LSGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 550V 7.1A（Tc） 66W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R520CP
  仓库库存编号：IPD50R520CP-ND
  别名：SP000236063
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 7.1A（Tc） 66W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS50R520CP
  仓库库存编号：IPS50R520CP-ND
  别名：SP000236067
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
  
  型号：BSO130N03MSGXUMA1
  仓库库存编号：BSO130N03MSGXUMA1CT-ND
  别名：BSO130N03MS GCT
  BSO130N03MS GCT-ND
  BSO130N03MSG
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
  
  型号：IRF5800TRPBF
  仓库库存编号：IRF5800TRPBFCT-ND
  别名：IRF5800TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 22A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 22A（Ta） 3.5W（Ta），27W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH4234TRPBF
  仓库库存编号：IRFH4234TRPBFCT-ND
  别名：IRFH4234TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 20A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 20A（Ta） 2.8W（Ta），28W（Tc）
  
  型号：IRFHM4234TRPBF
  仓库库存编号：IRFHM4234TRPBFCT-ND
  别名：IRFHM4234TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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