产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 85nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 50A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 960W（Tc） TO-3P
型号：
IXFQ50N50P3
仓库库存编号：
IXFQ50N50P3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 85nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 60A SO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJA62EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJA62EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJA62EP-T1_GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 85nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 65A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 65A（Tc） 150W（Tc） TO-220-3
型号：
STP70N10F4
仓库库存编号：
497-8812-5-ND
别名：497-8812-5
STP70N10F4-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 85nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 50A（Tc） 71W（Tc） TO-252AA
型号：
SQD50N04-5M6_T4GE3
仓库库存编号：
SQD50N04-5M6_T4GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 85nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 50A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 50A（Tc） 71W（Tc） TO-252
型号：
SQD50N04-5M6_GE3
仓库库存编号：
SQD50N04-5M6_GE3-ND
别名：SQD50N04-5M6-GE3
SQD50N04-5M6-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 85nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 80A DPAK-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Ta） 100W（Tc） DPAK+
型号：
TK80S06K3L(T6L1,NQ
仓库库存编号：
TK80S06K3L(T6L1NQ-ND
别名：TK80S06K3L(T6L1NQ
TK80S06K3LT6L1NQ
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 85nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 50A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 83.3W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD50N04-09H-E3
仓库库存编号：
SUD50N04-09H-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 85nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 54A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 54A（Ta），334A（Tc） 3.2W（Ta），125W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4H01NT3G
仓库库存编号：
NTMFS4H01NT3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 85nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 54A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 54A（Ta），334A（Tc） 3.2W（Ta），125W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4H01NT1G
仓库库存编号：
NTMFS4H01NT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 85nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 36A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 540W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH36N50P
仓库库存编号：
IXTH36N50P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 85nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 50A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 960W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH50N50P3
仓库库存编号：
IXFH50N50P3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 85nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 800V 11A（Tc） 166W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR20N80P
仓库库存编号：
IXFR20N80P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 85nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 36A（Tc） 540W（Tc） TO-268
型号：
IXTT36N50P
仓库库存编号：
IXTT36N50P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 85nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 15A（Tc） 166W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR30N60P
仓库库存编号：
IXFR30N60P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 85nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 11A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 800V 11A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220-3
型号：
SPA11N80C3XKSA2
仓库库存编号：
SPA11N80C3XKSA2-ND
别名：SP000216321
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 85nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 120A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 75V 120A（Tc） 330W（Tc） TO-247-3
型号：
STW160N75F3
仓库库存编号：
497-7619-5-ND
别名：497-7619-5
STW160N75F3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 85nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 65A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 100V 65A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
型号：
STW70N10F4
仓库库存编号：
497-8797-5-ND
别名：497-8797-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 85nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 65A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
型号：
STB70N10F4
仓库库存编号：
STB70N10F4-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 85nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 36A PLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 500V 36A（Tc） 540W（Tc） PLUS220
型号：
IXTV36N50P
仓库库存编号：
IXTV36N50P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 85nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 36A PLUS220-SMD
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 36A（Tc） 540W（Tc） PLUS-220SMD
型号：
IXTV36N50PS
仓库库存编号：
IXTV36N50PS-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 85nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 15A（Tc） 166W（Tc） ISOPLUS220?
型号：
IXFC30N60P
仓库库存编号：
IXFC30N60P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 85nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 31A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 31A（Tc） 255W（Tc） TO-247-3
型号：
APT31N60BCSG
仓库库存编号：
APT31N60BCSG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 85nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 800V 11A（Tc） 166W（Tc） ISOPLUS220?
型号：
IXFC20N80P
仓库库存编号：
IXFC20N80P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 85nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 40V 8A 3.25W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4563DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4563DY-T1-E3CT-ND
别名：SI4563DY-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 85nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 36A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
型号：
SI4324DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4324DY-T1-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 85nC @ 10V,
无铅
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