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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 26A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 63W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：FDD390N15ALZ
  仓库库存编号：FDD390N15ALZCT-ND
  别名：FDD390N15ALZCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 5.7A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 5.7A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI740GLCPBF
  仓库库存编号：IRFI740GLCPBF-ND
  别名：*IRFI740GLCPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 8A TO-220FM
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Ta） 50W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R8008ANX
  仓库库存编号：R8008ANX-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N CH 650V 9A ITO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 13W（Tc） ITO-220AB
  
  型号：DMG9N65CTI
  仓库库存编号：DMG9N65CTIDI-ND
  别名：DMG9N65CTIDI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP12NM50
  仓库库存编号：497-2666-5-ND
  别名：497-2666-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V POWERFLAT5X6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 5W（Ta），100W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL90N10F7
  仓库库存编号：497-13969-1-ND
  别名：497-13969-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） ITO-220
  
  型号：TSM15N50CI C0G
  仓库库存编号：TSM15N50CI C0G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） TO-220
  
  型号：TSM15N50CZ C0G
  仓库库存编号：TSM15N50CZ C0G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP
  
  型号：TPC8129,LQ(S
  仓库库存编号：TPC8129LQ(S-ND
  别名：TPC8129LQ(S
  TPC8129LQS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 62W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SQS482EN-T1_GE3
  仓库库存编号：SQS482EN-T1_GE3-ND
  别名：SQS482EN-T1-GE3
  SQS482EN-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SQJ910AEP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ910AEP-T1_GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 65W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK0456DPB-00#J5
  仓库库存编号：RJK0456DPB-00#J5TR-ND
  别名：RJK0456DPB-00#J5-ND
  RJK0456DPB-00#J5TR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF840LCLPBF
  仓库库存编号：IRF840LCLPBF-ND
  别名：*IRF840LCLPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF840LCSPBF
  仓库库存编号：IRF840LCSPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 18A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 18A（Tc） 83W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA18P10T
  仓库库存编号：IXTA18P10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） TO-263AB
  
  型号：IRF840LCSTRRPBF
  仓库库存编号：IRF840LCSTRRPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 3.5A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFIBC40GLCPBF
  仓库库存编号：IRFIBC40GLCPBF-ND
  别名：*IRFIBC40GLCPBF
  
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• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 18A TO-252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 18A（Tc） 83W（Tc） TO-252
  
  型号：IXTY18P10T
  仓库库存编号：IXTY18P10T-ND
  
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  MOSFET N-CH 1000V 3A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP3N100P
  仓库库存编号：IXTP3N100P-ND
  
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  MOSFET N-CH 1000V 3A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 125W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA3N100P
  仓库库存编号：IXTA3N100P-ND
  
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  MOSFET N-CH 1000V 3A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 125W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH3N100P
  仓库库存编号：IXTH3N100P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF840LC
  仓库库存编号：IRF840LC-ND
  别名：*IRF840LC
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 1200V 3A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 200W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH3N120
  仓库库存编号：IXTH3N120-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 150W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH4N100Q
  仓库库存编号：IXFH4N100Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 1000V 4A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 150W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT4N100Q
  仓库库存编号：IXFT4N100Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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