产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 5V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 6.1A SC70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 6.1A(Tc) 1.5W(Ta),2.8W(Tc) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1488DH-T1-E3
仓库库存编号:
SI1488DH-T1-E3CT-ND
别名:SI1488DH-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 2A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 2A(Ta) 1.3W(Ta) SOT-223(TO-261)
型号:
NTF3055L175T1G
仓库库存编号:
NTF3055L175T1GOSCT-ND
别名:NTF3055L175T1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 5V,
无铅
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EPC
TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 25A(Ta) 模具
型号:
EPC2801
仓库库存编号:
917-1035-1-ND
别名:917-1035-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 5V,
含铅
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EPC
TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 31A(Ta) 模具
型号:
EPC2033ENGR
仓库库存编号:
917-EPC2033ENGR-ND
别名:917-EPC2033ENGR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 30V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP13N03LB G
仓库库存编号:
IPP13N03LB G-ND
别名:IPP13N03LBGX
SP000064224
SP000680872
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 5V,
无铅
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