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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 6.8A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 6.8A（Tc） 46W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFIB7N50LPBF
  仓库库存编号：IRFIB7N50LPBF-ND
  别名：*IRFIB7N50LPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 550V 26A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 26A（Tc） 375W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH26N55Q
  仓库库存编号：IXFH26N55Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V 60A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 60A（Tc） 1.8W（Ta），88W（Tc） TO-263
  
  型号：NP60N055KUG-E1-AY
  仓库库存编号：NP60N055KUG-E1-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 30A（Ta） 200W（Tc） TO-3P
  
  型号：RJK6018DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJK6018DPK-00#T0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 30A TO3PFM
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 30A（Ta） 60W（Tc） TO-3PFM
  
  型号：RJK6018DPM-00#T1
  仓库库存编号：RJK6018DPM-00#T1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7416QTRPBF
  仓库库存编号：IRF7416QTRPBFCT-ND
  别名：IRF7416QTRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 174A 2WDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 32A（Ta），174A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSB019N03LX G
  仓库库存编号：BSB019N03LX G-ND
  别名：SP000597826
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 61A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 120W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：AUIRLR3915
  仓库库存编号：AUIRLR3915-ND
  别名：SP001516276
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
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