产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 150V 7A 8-SOPA
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 7A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPCA8009-H(TE12L,Q
仓库库存编号：
TPCA8009HTE12LQCT-ND
别名：TPCA8009HTE12LQCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 200V 5.5A 8-SOPA
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5.5A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPCA8010-H(TE12L,Q
仓库库存编号：
TPCA8010HTE12LQCT-ND
别名：TPCA8010HTE12LQCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 250V 4A 8-SOPA
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 4A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPCA8008-H(TE12L,Q
仓库库存编号：
TPCA8008HTE12LQCT-ND
别名：TPCA8008HTE12LQCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.3A（Ta） 900mW（Ta） 8-SO
型号：
FDFS2P102
仓库库存编号：
FDFS2P102CT-ND
别名：FDFS2P102_NLCT
FDFS2P102_NLCT-ND
FDFS2P102CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.2A VS-8
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A, 3.2A 330mW Surface Mount VS-8 (2.9x1.5)
型号：
TPCF8402(TE85L,F,M
仓库库存编号：
TPCF8402FCT-ND
别名：TPCF8402FCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 4.8A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 200V 4.8A（Tc） 37W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF7N20
仓库库存编号：
FQPF7N20-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5.3A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） D-Pak
型号：
FQD7N20TF
仓库库存编号：
FQD7N20TF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5.3A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） D-Pak
型号：
FQD7N20TM
仓库库存编号：
FQD7N20TM-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 5.3A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.3A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） I-Pak
型号：
FQU7N20TU
仓库库存编号：
FQU7N20TU-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 80V 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 2.5W Surface Mount 8-SOP
型号：
HUFA76504DK8T
仓库库存编号：
HUFA76504DK8T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 6.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 6.6A（Tc） 3.13W（Ta），63W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB7N20TM
仓库库存编号：
FQB7N20TM-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.1A 900mW Surface Mount 8-SO
型号：
NDS8961
仓库库存编号：
NDS8961-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 1.13A（Ta） 400mW（Tj） SOT-23-3（TO-236）
型号：
NTR4502PT1
仓库库存编号：
NTR4502PT1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 1.13A（Ta） 400mW（Tj） SOT-23-3（TO-236）
型号：
NTR4502PT3
仓库库存编号：
NTR4502PT3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 1.49A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2303BDS-T1-E3
仓库库存编号：
SI2303BDS-T1-E3CT-ND
别名：SI2303BDS-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 1.25W（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2308DS-T1-E3
仓库库存编号：
SI2308DS-T1-E3CT-ND
别名：SI2308DS-T1-E3CT
SI2308DST1E3
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 40V 8SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 40V 5.5A, 4.4A 900mW Surface Mount 8-SO
型号：
FDS4895C
仓库库存编号：
FDS4895C-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 12.1A（Tc） 8.9W（Tc） SOT-223-4
型号：
FDT55AN06LA0
仓库库存编号：
FDT55AN06LA0CT-ND
别名：FDT55AN06LA0CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 250V 4A SOP-8 ADV
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 4A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPCA8008-H(TE12LQM
仓库库存编号：
TPCA8008-H(TE12LQM-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 200V 5.5A SOP-8 ADV
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5.5A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPCA8010-H(TE12LQM
仓库库存编号：
TPCA8010-H(TE12LQM-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5.3A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） D-Pak
型号：
FQD7N20TM_F080
仓库库存编号：
FQD7N20TM_F080-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 1A（Ta） 2.52W（Ta） SOT-223-4
型号：
SFM9110TF
仓库库存编号：
SFM9110TF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 2.8A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 2.8A（Tc） 2.5W（Ta），20W（Tc） D-Pak
型号：
SFR9110TF
仓库库存编号：
SFR9110TF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 4.5A（Ta） 20W（Tc） PW-MOLD
型号：
2SK3342(TE16L1,NQ)
仓库库存编号：
2SK3342(TE16L1,NQ)-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD2
详细描述：通孔 N 沟道 250V 4.5A（Ta） 20W（Tc） PW-MOLD2
型号：
2SK4021(Q)
仓库库存编号：
2SK4021(Q)-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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