产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 30A(Tc) 38W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP114N03L G
仓库库存编号:
IPP114N03LGIN-ND
别名:IPP114N03LGIN
IPP114N03LGXK
SP000264168
SP000680862
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 35A(Tc) 38W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS105N03LGAKMA1
仓库库存编号:
IPS105N03LGAKMA1-ND
别名:IPS105N03L G
IPS105N03LG
IPS105N03LGIN
IPS105N03LGIN-ND
IPS105N03LGXK
SP000264172
SP000788218
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 35A(Tc) 38W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU105N03L G
仓库库存编号:
IPU105N03LGIN-ND
别名:IPU105N03LGIN
IPU105N03LGXK
SP000271466
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 38W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB114N03L G
仓库库存编号:
IPB114N03L G-ND
别名:SP000304102
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 22A(Tc) 31W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI22N03S4L15AKSA1
仓库库存编号:
IPI22N03S4L15AKSA1-ND
别名:IPI22N03S4L-15
IPI22N03S4L-15-ND
SP000277016
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 22A(Tc) 31W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP22N03S4L15AKSA1
仓库库存编号:
IPP22N03S4L15AKSA1-ND
别名:IPP22N03S4L-15
IPP22N03S4L-15-ND
SP000275290
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 34V 49A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 34V 14A(Ta),49A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0908NSATMA1
仓库库存编号:
BSC0908NSATMA1CT-ND
别名:BSC0908NSCT
BSC0908NSCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
AUIRF9952Q
仓库库存编号:
AUIRF9952Q-ND
别名:SP001519192
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
无铅
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