产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 22A（Tc） 31W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB22N03S4L15ATMA1
仓库库存编号：
IPB22N03S4L15ATMA1TR-ND
别名：IPB22N03S4L-15
IPB22N03S4L-15-ND
IPB22N03S4L-15INTR
IPB22N03S4L-15INTR-ND
SP000275308
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
AUIRF9952QTR
仓库库存编号：
AUIRF9952QTR-ND
别名：SP001517940
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 3A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3A（Tc） 42W（Tc） D-Pak
型号：
STD3NM60T4
仓库库存编号：
497-3161-1-ND
别名：497-3161-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 3A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 600V 3A（Tc） 42W（Tc） I-Pak
型号：
STD3NM60-1
仓库库存编号：
STD3NM60-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 3.8A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 620V 3.8A（Tc） 70W（Tc） TO-220
型号：
STP4N62K3
仓库库存编号：
497-10651-5-ND
别名：497-10651-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 4.4A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 525V 4.4A（Tc） 70W（Tc） TO-220
型号：
STP5N52K3
仓库库存编号：
497-10652-5-ND
别名：497-10652-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 5.8A POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 5.8A（Tc） 68W（Tc） 14-PowerFLAT?（5x5）
型号：
STL7NM60N
仓库库存编号：
497-11043-1-ND
别名：497-11043-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 600V 5A（Tc） 45W（Tc） TO-220
型号：
STP7NM60N
仓库库存编号：
497-11337-5-ND
别名：497-11337-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.2A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF620
仓库库存编号：
IRF620IR-ND
别名：*IRF620
IRF620IR
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 200V 800mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD220
仓库库存编号：
IRFD220-ND
别名：*IRFD220
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 4.4A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
型号：
IRF624S
仓库库存编号：
IRF624S-ND
别名：*IRF624S
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 5.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
NDS9430
仓库库存编号：
NDS9430CT-ND
别名：NDS9430CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 5.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
NDS9435A
仓库库存编号：
NDS9435ACT-ND
别名：NDS9435ACT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5.2A（Tc） 3W（Ta），50W（Tc） D2PAK
型号：
IRF620S
仓库库存编号：
IRF620S-ND
别名：*IRF620S
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 4.4A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 250V 4.4A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF624
仓库库存编号：
IRF624-ND
别名：*IRF624
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 200V 4.1A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI620G
仓库库存编号：
IRFI620G-ND
别名：*IRFI620G
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 3.4A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 250V 3.4A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI624G
仓库库存编号：
IRFI624G-ND
别名：*IRFI624G
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1.4A（Tc） 36W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR1N60A
仓库库存编号：
IRFR1N60A-ND
别名：*IRFR1N60A
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 3.8A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR224
仓库库存编号：
IRFR224-ND
别名：*IRFR224
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 3.8A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR224TR
仓库库存编号：
IRFR224TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 3.8A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR224TRL
仓库库存编号：
IRFR224TRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 50V 9.9A（Tc） 42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9020
仓库库存编号：
IRFR9020-ND
别名：*IRFR9020
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 50V 9.9A（Tc） 42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9020TR
仓库库存编号：
IRFR9020TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 2.7A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9214
仓库库存编号：
IRFR9214-ND
别名：*IRFR9214
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 50V 9.9A I-PAK
详细描述：通孔 P 沟道 50V 9.9A（Tc） 42W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU9020
仓库库存编号：
IRFU9020-ND
别名：*IRFU9020
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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