产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
型号：
RQ3E130MNTB1
仓库库存编号：
RQ3E130MNTB1CT-ND
别名：RQ3E130MNTB1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 25A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A D2PAK
型号：
STB25NF06LAG
仓库库存编号：
497-17141-1-ND
别名：497-17141-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 3.8A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 3.8A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU224PBF
仓库库存编号：
IRFU224PBF-ND
别名：*IRFU224PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 4A CPH6
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 4A（Ta） 1.6W（Ta） 6-CPH
型号：
CPH6354-TL-W
仓库库存编号：
CPH6354-TL-WOSCT-ND
别名：CPH6354-TL-WOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 640V 5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 640V 5A（Tc） 60W（Tc） DPAK
型号：
STD7NM64N
仓库库存编号：
497-14533-1-ND
别名：497-14533-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 4.8A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 4.8A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU220PBF
仓库库存编号：
IRFU220PBF-ND
别名：*IRFU220PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 5A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 45W（Tc） I-Pak
型号：
STU8NM50N
仓库库存编号：
497-12368-ND
别名：497-12368
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 1.7W（Ta），2.7W（Tc） 6-TSOP
型号：
SI3442CDV-T1-GE3
仓库库存编号：
SI3442CDV-T1-GE3CT-ND
别名：SI3442CDV-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 2.2A PICOSTAR
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
型号：
CSD18541F5
仓库库存编号：
296-44374-1-ND
别名：296-44374-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 30V 5.4A, 4.5A 1.6W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号：
SI7501DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7501DN-T1-GE3CT-ND
别名：SI7501DN-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 9.4A T0252
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.6A（Tc） 1.6W（Ta） TO-252
型号：
DMP6185SK3-13
仓库库存编号：
DMP6185SK3-13DICT-ND
别名：DMP6185SK3-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） D-Pak
型号：
FQD4P25TM_WS
仓库库存编号：
FQD4P25TM_WSCT-ND
别名：FQD4P25TM_WSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.8A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR220TRLPBF
仓库库存编号：
IRFR220TRLPBFCT-ND
别名：IRFR220TRLPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 6A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 30W（Tc） D-Pak
型号：
STD6NF10T4
仓库库存编号：
497-7974-1-ND
别名：497-7974-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V PWR33
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），15A（Tc） 2.3W（Ta），18W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
型号：
FDMC8884_F126
仓库库存编号：
FDMC8884_F126CT-ND
别名：FDMC8884_F126CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 65W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
FDD120AN15A0_F085
仓库库存编号：
FDD120AN15A0_F085CT-ND
别名：FDD120AN15A0_F085CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 2.6A（Tc） 39W（Tc） I-Pak
型号：
FCU2250N80Z
仓库库存编号：
FCU2250N80Z-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A/10A PWR56
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.5A, 10A 1W Surface Mount Power56
型号：
FDMS9620S
仓库库存编号：
FDMS9620SCT-ND
别名：FDMS9620SCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.4A（Tc） 36W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR1N60ATRPBF
仓库库存编号：
IRFR1N60APBFCT-ND
别名：*IRFR1N60ATRPBF
IRFR1N60APBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 2.6A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.6A（Tc） 39W（Tc） D-Pak
型号：
FCD2250N80Z
仓库库存编号：
FCD2250N80ZCT-ND
别名：FCD2250N80ZCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.4A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
型号：
FQD3N60CTM_WS
仓库库存编号：
FQD3N60CTM_WSCT-ND
别名：FQD3N60CTM_WSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 8A PWRFLAT56
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 75W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL30N10F7
仓库库存编号：
497-14540-1-ND
别名：497-14540-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 3.8A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8A（Tc） 70W（Tc） D-Pak
型号：
STD4N62K3
仓库库存编号：
497-10648-1-ND
别名：497-10648-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 7A 8POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.9W（Ta），50W（Tc） PowerFlat?（3.3x3.3）
型号：
STL7N10F7
仓库库存编号：
497-14990-1-ND
别名：497-14990-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 45W（Tc） DPAK
型号：
STD8NM50N
仓库库存编号：
497-10958-1-ND
别名：497-10958-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 10V,
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