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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 3.2A 26W Surface Mount PG-TDSON-8
  
  型号：BSC750N10ND G
  仓库库存编号：BSC750N10ND GCT-ND
  别名：BSC750N10ND GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 1.8A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 1.8A（Tc） 20W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9610PBF
  仓库库存编号：IRF9610PBF-ND
  别名：*IRF9610PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R190P6
  仓库库存编号：IPW60R190P6-ND
  别名：IPW60R190P6FKSA1
  SP001017090
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ10PBF
  仓库库存编号：IRFZ10PBF-ND
  别名：*IRFZ10PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.8A（Tc） 3W（Ta），20W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9610SPBF
  仓库库存编号：IRF9610SPBF-ND
  别名：IRF9610SPBFCT
  IRF9610SPBFCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 20.3A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 20.3A（Tc） 62W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP20N06T,127
  仓库库存编号：1727-4640-ND
  别名：1727-4640
  568-5757
  568-5757-5
  568-5757-5-ND
  568-5757-ND
  934056614127
  PHP20N06T
  PHP20N06T,127-ND
  PHP20N06T-ND
  PHP20N06T127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK-OS
  详细描述：通孔 N 沟道 5.8A（Ta） 60W（Tc） I-Pak
  
  型号：TK6Q65W,S1Q
  仓库库存编号：TK6Q65WS1Q-ND
  别名：TK6Q65W,S1Q(S
  TK6Q65WS1Q
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 5.8A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 5.8A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK6A65W,S5X
  仓库库存编号：TK6A65WS5X-ND
  别名：TK6A65W,S5X(M
  TK6A65WS5X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 400V 1.8A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8A（Tc） 3.3W（Ta） SOT-223
  
  型号：STN3N40K3
  仓库库存编号：497-11222-1-ND
  别名：497-11222-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Central Semiconductor Corp
  MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.9A（Ta） 1.2W（Ta） SOT-89
  
  型号：CXDM3069N TR
  仓库库存编号：CXDM3069N CT-ND
  别名：CXDM3069N CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 700V 2A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 28W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF2N70
  仓库库存编号：FQPF2N70-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Tc） 31W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD78CN10NGBUMA1
  仓库库存编号：IPD78CN10NGBUMA1CT-ND
  别名：IPD78CN10N GCT
  IPD78CN10N GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 1.1A SSOT-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.1A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
  
  型号：FDC2612
  仓库库存编号：FDC2612CT-ND
  别名：FDC2612CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta），26A（Tc） 2.5W（Ta），48W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS86105
  仓库库存编号：FDMS86105CT-ND
  别名：FDMS86105CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 400V 2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 30W（Tc） DPAK
  
  型号：STD3N40K3
  仓库库存编号：497-13265-1-ND
  别名：497-13265-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 30V 2.4A DFN1010D-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.4A（Ta） 400mW（Ta），8.3W（Tc） DFN1010D-3
  
  型号：PMXB120EPEZ
  仓库库存编号：PMXB120EPEZ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 2A TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 56.8W（Tc） TO-251-3
  
  型号：AOU2N60
  仓库库存编号：AOU2N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 2A
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 57W（Tc） TO-251A
  
  型号：AOI2N60A
  仓库库存编号：785-1646-5-ND
  别名：785-1646-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 57W（Tc） TO-251
  
  型号：AOY2N60
  仓库库存编号：AOY2N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 2A TO251A
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 56.8W（Tc） TO-251A
  
  型号：AOI2N60
  仓库库存编号：AOI2N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 2W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：AO4620
  仓库库存编号：785-1045-2-ND
  别名：785-1045-2
  
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 60V 2.5A VEC8
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 2.5A 1W Surface Mount SOT-28FL/VEC8
  
  型号：VEC2315-TL-W
  仓库库存编号：VEC2315-TL-WOSCT-ND
  别名：VEC2315-TL-WOSCT
  
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 51W（Tc） DPAK
  
  型号：PHD20N06T,118
  仓库库存编号：PHD20N06T,118-ND
  别名：934056617118
  PHD20N06T /T3
  PHD20N06T /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 13A/15A 8DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 13A, 15A 2.5W Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)
  
  型号：AON7934
  仓库库存编号：785-1509-1-ND
  别名：785-1509-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.5A, 8.5A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS6984AS
  仓库库存编号：FDS6984ASFSCT-ND
  别名：FDS6984ASFSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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