产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 4.5V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 12A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 12A（Ta），78A（Tc） 1.31W（Ta），56.6W（Tc） DPAK
型号：
NTD4857NT4G
仓库库存编号：
NTD4857NT4G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 12A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 12A（Ta），78A（Tc） DPAK
型号：
NTD4857NAT4G
仓库库存编号：
NTD4857NAT4G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 4.5V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11.5A（Ta） 3W（Ta） 8-SOIC
型号：
AO4406
仓库库存编号：
785-1021-1-ND
别名：785-1021-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 4.5V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 85A 8ULTRASO
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta），85A（Tc） 2.08W（Ta），100W（Tc） UltraSO-8?
型号：
AOL1414
仓库库存编号：
785-1120-1-ND
别名：785-1120-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 5.3A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号：
SI7909DN-T1-E3
仓库库存编号：
SI7909DN-T1-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 5.3A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号：
SI7909DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7909DN-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 62A（Tc） 87W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF3708
仓库库存编号：
IRF3708-ND
别名：*IRF3708
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 62A（Tc） 87W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3708S
仓库库存编号：
IRF3708S-ND
别名：*IRF3708S
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 62A（Tc） 87W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3708STRL
仓库库存编号：
IRF3708STRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 62A（Tc） 87W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3708STRR
仓库库存编号：
IRF3708STRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 61A（Tc） 87W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3708
仓库库存编号：
IRFU3708-ND
别名：*IRFU3708
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 30V 62A（Tc） 87W（Tc） TO-262
型号：
IRF3708L
仓库库存编号：
IRF3708L-ND
别名：*IRF3708L
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 61A（Tc） 87W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3708
仓库库存编号：
IRFR3708-ND
别名：*IRFR3708
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 61A（Tc） 87W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3708TR
仓库库存编号：
IRFR3708TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 61A（Tc） 87W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3708TRL
仓库库存编号：
IRFR3708TRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 61A（Tc） 87W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3708TRR
仓库库存编号：
IRFR3708TRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta），55A（Tc） 2.1W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? ST
型号：
IRF6608
仓库库存编号：
IRF6608CT-ND
别名：*IRF6608
IRF6608CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 92A（Tc） 79W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3711ZCS
仓库库存编号：
IRF3711ZCS-ND
别名：*IRF3711ZCS
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 92A（Tc） 79W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3711ZS
仓库库存编号：
IRF3711ZS-ND
别名：*IRF3711ZS
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 92A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 20V 92A（Tc） 79W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF3711Z
仓库库存编号：
IRF3711Z-ND
别名：*IRF3711Z
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 92A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 20V 92A（Tc） 79W（Tc） TO-262
型号：
IRF3711ZL
仓库库存编号：
IRF3711ZL-ND
别名：*IRF3711ZL
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 92A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 20V 92A（Tc） 79W（Tc） TO-262
型号：
IRF3711ZCL
仓库库存编号：
IRF3711ZCL-ND
别名：*IRF3711ZCL
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 92A（Tc） 79W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3711ZCSTRL
仓库库存编号：
IRF3711ZCSTRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 92A（Tc） 79W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3711ZCSTRR
仓库库存编号：
IRF3711ZCSTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 4.5V,
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MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 92A（Tc） 79W（Tc） D2PAK
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IRF3711ZSTRL
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