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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 9A TO-220-5
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 9A（Tc） 74W（Tc） TO-220-5
  
  型号：IRC630PBF
  仓库库存编号：IRC630PBF-ND
  别名：*IRC630PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 27A I2PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 27A（Tc） 3.75W（Ta），120W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI27P06TU
  仓库库存编号：FQI27P06TU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 10A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 10A（Tc） 125W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXFC16N50P
  仓库库存编号：IXFC16N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 4A（Tc） 225W（Tc） TO-220
  
  型号：APT4F120K
  仓库库存编号：APT4F120K-ND
  别名：APT4F120KMI
  APT4F120KMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 5A（Tc） 225W（Tc） TO-220 [K]
  
  型号：APT4M120K
  仓库库存编号：APT4M120K-ND
  别名：APT4M120KMI
  APT4M120KMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 5A（Tc） 225W（Tc） TO-220 [K]
  
  型号：APT5F100K
  仓库库存编号：APT5F100K-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 6A（Tc） 225W（Tc） TO-220 [K]
  
  型号：APT6M100K
  仓库库存编号：APT6M100K-ND
  别名：APT6M100KMI
  APT6M100KMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 7A（Tc） 225W（Tc） TO-220 [K]
  
  型号：APT7F80K
  仓库库存编号：APT7F80K-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 8A（Tc） 225W（Tc） TO-220 [K]
  
  型号：APT8M80K
  仓库库存编号：APT8M80K-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12.7A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4710
  仓库库存编号：785-1050-1-ND
  别名：785-1050-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 15.8A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK16A60W5,S4VX
  仓库库存编号：TK16A60W5S4VX-ND
  别名：TK16A60W5S4VX
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 200V 40A LDPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 40A（Ta） 100W（Tc） 4-LDPAK
  
  型号：RJK2006DPE-00#J3
  仓库库存编号：RJK2006DPE-00#J3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 500V 19A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 19A（Ta） 150W（Tc） TO-3P
  
  型号：RJL5014DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJL5014DPK-00#T0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 25A 8-SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 25A（Tc） 3W（Ta），6.25W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4752DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4752DY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
  详细描述：Mosfet Array 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) 60V 20A 54W Surface Mount 20-HSOP
  
  型号：RJM0603JSC-00#12
  仓库库存编号：RJM0603JSC-00#12-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12.7A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4710L_101
  仓库库存编号：AO4710L_101-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 18A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR18N15D
  仓库库存编号：IRFR18N15D-ND
  别名：*IRFR18N15D
  SP001571432
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 18A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 18A（Tc） 110W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU18N15D
  仓库库存编号：IRFU18N15D-ND
  别名：*IRFU18N15D
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 18A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR18N15DTRL
  仓库库存编号：IRFR18N15DTRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 18A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR18N15DTR
  仓库库存编号：IRFR18N15DTR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 18A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR18N15DTRR
  仓库库存编号：IRFR18N15DTRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 51A（Tc） 80W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ44Z
  仓库库存编号：IRFZ44Z-ND
  别名：*IRFZ44Z
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 51A（Tc） 80W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ44ZS
  仓库库存编号：IRFZ44ZS-ND
  别名：*IRFZ44ZS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 55V 51A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 51A（Tc） 80W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFZ44ZL
  仓库库存编号：IRFZ44ZL-ND
  别名：*IRFZ44ZL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 51A（Tc） 80W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRFZ44ZS
  仓库库存编号：AUIRFZ44ZS-ND
  别名：SP001518774
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V,
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